[發(fā)明專利]金屬薄膜圖形的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910144355.0 | 申請日： | 2019-02-27 |
| 公開（公告）號： | CN109911843B | 公開（公告）日： | 2021-08-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 劉善善;朱黎敏 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四華 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 金屬 薄膜 圖形 制造 方法 | ||
1.一種金屬薄膜圖形的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟一、在半導(dǎo)體襯底上形成金屬薄膜；
采用CVD淀積工藝形成所述金屬薄膜；
所述金屬薄膜為TiN薄膜；
步驟二、將所述半導(dǎo)體襯底放入到CVD工藝腔中進行CVD吹掃處理來釋放所述金屬薄膜的應(yīng)力；
步驟二中所述CVD吹掃由高溫吹掃加降溫吹掃兩個過程組成，所述高溫吹掃的工藝溫度大于室溫，所述降溫吹掃過程中工藝溫度由所述高溫吹掃對應(yīng)的工藝溫度降低到室溫；
所述高溫吹掃的工藝溫度為400℃～450℃，氣體流量為200scc～500scc，工藝時間為1分鐘～3分鐘；所述高溫吹掃的氣體包括氮氣或惰性氣體；
所述降溫吹掃的氣體流量為200scc～500scc，工藝時間為1分鐘～3分鐘；所述降溫吹掃的氣體包括氮氣或惰性氣體；
步驟三、將所述半導(dǎo)體襯底取出，對所述金屬薄膜進行光刻刻蝕形成金屬薄膜圖形。
2.如權(quán)利要求1所述的金屬薄膜圖形的制造方法，其特征在于：所述半導(dǎo)體襯底為硅襯底。
3.如權(quán)利要求2所述的金屬薄膜圖形的制造方法，其特征在于：所述金屬薄膜用于作為MEMS器件的電極層材料。
4.如權(quán)利要求3所述的金屬薄膜圖形的制造方法，其特征在于：所述金屬薄膜用于作為所述MEMS器件的橋梁結(jié)構(gòu)。
5.如權(quán)利要求4所述的金屬薄膜圖形的制造方法，其特征在于：在形成所述金屬薄膜之前還包括形成第一氧化硅層的步驟，所述第一氧化硅層和所述金屬薄膜疊加形成所述橋梁結(jié)構(gòu)的底層結(jié)構(gòu)。
6.如權(quán)利要求5所述的金屬薄膜圖形的制造方法，其特征在于：在步驟二完成之后以及步驟三之前還包括如下步驟：
在所述金屬薄膜的表面形成頂層結(jié)構(gòu)。
7.如權(quán)利要求6所述的金屬薄膜圖形的制造方法，其特征在于：所述頂層結(jié)構(gòu)包括依次疊加的第二氧化硅層、第三氮化硅層和第四氧化硅層。
8.如權(quán)利要求7所述的金屬薄膜圖形的制造方法，其特征在于：步驟三中的光刻工藝定義出所述橋梁結(jié)構(gòu)，刻蝕工藝依次對所述頂層結(jié)構(gòu)的所述第四氧化硅層、所述第三氮化硅層和所述第二氧化硅層以及所述底層結(jié)構(gòu)的所述金屬薄膜以及所述第一氧化硅層進行刻蝕形成所述橋梁結(jié)構(gòu)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司，未經(jīng)上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910144355.0/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
