[發明專利]半導體存儲裝置

有效

• 申請號: 201910143423.1
• 申請日: 2019-02-26
• 公開（公告）號: CN110620102B
• 公開（公告）日: 2023-10-03
• 發明（設計）人: 熊谷建吾;田沼大吾;水野仁博
• 申請（專利權）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/488;H01G4/228
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 楊林勳

1.一種半導體存儲裝置，其特征在于具備：

襯底，具有第1焊墊與第2焊墊；

半導體存儲器零件，安裝在所述襯底；以及

第1電容器，具有利用焊料固定在所述第1焊墊的第1電極、及利用焊料固定在所述第2焊墊的第2電極；

所述第1焊墊具有第1區域、及相對于所述第1區域位于所述第2焊墊側的第2區域；

在將從所述第1焊墊朝向所述第2焊墊的方向設為第1方向，將與所述第1方向交叉的方向設為第2方向的情況下，

所述第2區域的所述第2方向的尺寸與所述第1電極的所述第2方向的尺寸的差小于所述第1區域的所述第2方向的尺寸與所述第1電極的所述第2方向的尺寸的差；且

所述第1電極遍及所述第1區域的至少一部分與所述第2區域的至少一部分地配置。

2.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于：

所述第1區域的所述第1方向的尺寸小于所述第1電極的所述第1方向的尺寸。

3.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于：

所述第1電極包含在所述襯底的厚度方向上與所述第1區域重疊的第1部分、及在所述襯底的厚度方向上與所述第2區域重疊的第2部分，且

所述第2部分的所述第1方向的尺寸大于所述第1部分的所述第1方向的尺寸。

4.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于：

所述第2焊墊具有第3區域、及相對于所述第3區域位于所述第1焊墊側的第4區域，

所述第4區域的所述第2方向的尺寸與所述第2電極的所述第2方向的尺寸的差小于所述第3區域的所述第2方向的尺寸與所述第2電極的所述第2方向的尺寸的差，且

所述第2電極遍及所述第3區域的至少一部分與所述第4區域的至少一部分地配置。

5.根據權利要求4所述的半導體存儲裝置，其特征在于：

所述第2電極包含在所述襯底的厚度方向上與所述第3區域重疊的第3部分、及在所述襯底的厚度方向上與所述第4區域重疊的第4部分，且

所述第4部分的所述第1方向的尺寸大于所述第3部分的所述第1方向的尺寸。

6.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于：

所述襯底能夠供安裝第2電容器來代替所述第1電容器，

所述第2電容器具有利用焊料固定在所述第1焊墊的第3電極、及利用焊料固定在所述第2焊墊的第4電極，

所述第1區域的所述第2方向的尺寸與所述第3電極的所述第2方向的尺寸的差小于所述第2區域的所述第2方向的尺寸與所述第3電極的所述第2方向的尺寸的差，且

在將所述第2電容器安裝到所述襯底來代替所述第1電容器的情況下，所述第3電極遍及所述第1區域的至少一部分與所述第2區域的至少一部分地配置。

7.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于：

所述第1區域的所述第2方向側的緣與所述第2區域的所述第2方向側的緣呈直線狀連續。

8.一種半導體存儲裝置，其特征在于具備：

襯底，具有第1焊墊與第2焊墊；

半導體存儲器零件，安裝在所述襯底；以及

電容器，具有利用焊料固定在所述第1焊墊的第1電極、及利用焊料固定在所述第2焊墊的第2電極；

所述第1焊墊具有第1區域、及相對于所述第1區域位于所述第2焊墊側的第2區域；

在將從所述第1焊墊朝向所述第2焊墊的方向設為第1方向，將與所述第1方向交叉的方向設為第2方向的情況下，

所述第1區域的所述第2方向的尺寸與所述第1電極的所述第2方向的尺寸的差小于所述第2區域的所述第2方向的尺寸與所述第1電極的所述第2方向的尺寸的差；且

所述第1電極遍及所述第1區域的至少一部分與所述第2區域的至少一部分地配置。