[發明專利]探測面板及其制作方法有效
| 申請號: | 201910142562.2 | 申請日: | 2019-02-26 |
| 公開(公告)號: | CN109830563B | 公開(公告)日: | 2022-07-19 |
| 發明(設計)人: | 華剛;車春城;李成;王建;薛艷娜;張勇;林家強 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;KA圖像 |
| 主分類號: | H01L31/115 | 分類號: | H01L31/115;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 探測 面板 及其 制作方法 | ||
1.一種探測面板,包括第一基板和第二基板,其中,
所述第一基板包括第一電極和光探測層;
所述第二基板包括驅動電路和第二電極,所述第一電極、所述第二電極與所述光探測層構成感光元件;
所述第一基板與所述第二基板相對設置以對盒,
所述驅動電路包括開關晶體管,所述第二電極與所述開關晶體管的源極或漏極電連接;
所述第二基板還包括電容電極,所述電容電極與所述開關晶體管的柵極同層設置,并與所述第二電極耦合形成電容,從而使得所述驅動電路與所述光探測層耦接以讀取所述光探測層產生的感光信號,所述電容配置為存儲所述感光信號;
所述感光元件還包括介質層,所述介質層位于所述第一基板中且位于所述第一電極和所述光探測層之間,所述介質層的材料為聚酰亞胺;
所述介質層的厚度小于所述光探測層的厚度的十分之一。
2.如權利要求1所述的探測面板,所述第一基板還包括第一襯底,所述感光元件位于所述第一襯底上并與所述第一襯底直接接觸。
3.如權利要求1所述的探測面板,其中,所述感光元件為金屬-半導體-金屬型感光元件。
4.如權利要求1所述的探測面板,其中,所述第一基板還包括第一襯底以及設置于所述第一襯底與所述感光元件之間的緩沖層,
所述緩沖層整面設置且與所述第一襯底直接接觸。
5.一種探測面板的制作方法,包括:
提供第一基板,其中,所述第一基板包括第一電極和光探測層;
提供第二基板,其中,所述第二基板包括驅動電路和第二電極;所述驅動電路包括開關晶體管,所述第二電極與所述開關晶體管的源極或漏極電連接;
將所述第一基板和所述第二基板對盒,使得所述第一電極、所述第二電極與所述光探測層構成感光元件;
所述第二基板還包括電容電極,所述電容電極與所述開關晶體管的柵極同層設置,并與所述第二電極耦合形成電容,從而使得所述驅動電路與所述光探測層耦接以讀取所述光探測層產生的感光信號,所述電容配置為存儲所述感光信號;
所述感光元件還包括介質層,所述介質層位于所述第一基板中且位于所述第一電極和所述光探測層之間,所述介質層的材料為聚酰亞胺;所述介質層的厚度小于所述光探測層的厚度的十分之一。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





