[發明專利]邊緣缺陷檢查方法有效
| 申請號: | 201910141617.8 | 申請日: | 2019-02-26 |
| 公開(公告)號: | CN111106025B | 公開(公告)日: | 2022-07-12 |
| 發明(設計)人: | 楊豐瑞;張哲愷;李忠儒;林振斌;林尚德;劉宗祐 | 申請(專利權)人: | 南茂科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 羅英;臧建明 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 邊緣 缺陷 檢查 方法 | ||
1.一種邊緣缺陷檢查方法,包括:
獲取目標元件的外觀以取得外觀圖像,其中所述目標元件的主動面上包括多個子元件及鄰近所述目標元件的邊緣且圍繞所述多個子元件的保護結構,其中所述多個子元件為焊球、接墊、線路或上述任意至少兩者的組合;
依據所述外觀圖像決定出多個參考點,其中依據所述外觀圖像選擇出所述目標元件的所述主動面上的所述多個子元件的其中一部分,且依據所選擇的所述多個子元件標記所述多個參考點;
依據所述多個參考點取得識別圖案數據,其中所述識別圖案數據 是藉由數據庫中的所述目標元件的設計圖面相關信息取得選定的所述多個子元件及所述多個參考點的位置信息,且依據所述多個參考點與所述保護結構的相對位置信息透過后端軟件運算而取得;
依據所述識別圖案數據在所述外觀影像上形成識別圖案;以及
依據所述識別圖案及所述外觀圖像產生檢查結果。
2.根據權利要求1所述的邊緣缺陷檢查方法,其中各所述參考點為對應的各所述子元件的中心。
3.根據權利要求1所述的邊緣缺陷檢查方法,其中依據所述多個參考點取得所述識別圖案數據的方法還包括:
依據所述多個參考點形成參考圖案;以及
依據所述參考圖案取得所述識別圖案數據。
4.根據權利要求1所述的邊緣缺陷檢查方法,其中依據所述識別圖案及所述外觀圖像產生所述檢查結果的方法還包括:
比對所述外觀圖像的邊界與所述識別圖案;
依據所述外觀圖像的邊界與所述識別圖案間的距離產生所述檢查結果。
5.根據權利要求1所述的邊緣缺陷檢查方法,還包括:
依據所述檢查結果保留或拋除所述目標元件。
6.根據權利要求1所述的邊緣缺陷檢查方法,其中所述多個參考點的數量為至少三個。
7.根據權利要求1所述的邊緣缺陷檢查方法,其中所述目標元件包括由晶片切割出的至少一晶粒及至少一晶片級芯片封裝體。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





