[發(fā)明專利]一種基于LTCC工藝的大尺度微流道制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910139806.1 | 申請日: | 2019-02-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109830443B | 公開(公告)日: | 2021-07-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 彭梓;藍(lán)江河;余懷強(qiáng);羅治濤;陳軻;劉世浪;王澤興 | 申請(專利權(quán))人: | 中國電子科技集團(tuán)公司第九研究所;中國電子科技集團(tuán)公司第二十六研究所 |
| 主分類號(hào): | H01L21/48 | 分類號(hào): | H01L21/48;H01L23/473 |
| 代理公司: | 綿陽市博圖知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 51235 | 代理人: | 黎仲 |
| 地址: | 621000 四*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 ltcc 工藝 尺度 微流道 制作方法 | ||
1.一種基于LTCC工藝的大尺度微流道制作方法,其特征在于,包括以下步驟:
a.分別制作犧牲材料預(yù)制塊粗坯和支撐材料預(yù)制塊粗坯;
b.分別將步驟a所得的犧牲材料預(yù)制塊粗坯和支撐材料預(yù)制塊粗坯加工成犧牲材料預(yù)制塊和支撐材料預(yù)制塊;
c.將步驟b所制得的犧牲材料預(yù)制塊和支撐材料預(yù)制塊組成復(fù)合犧牲預(yù)制塊,然后在LTCC基板疊層工藝時(shí)將所述復(fù)合犧牲預(yù)制塊放入LTCC基板生瓷中;
d.將復(fù)合犧牲預(yù)制塊、LTCC生瓷基板壓合在一起;
e.將步驟d壓合在一起的LTCC生瓷基板進(jìn)行燒結(jié),得到半成品;燒結(jié)完成后,犧牲材料預(yù)制塊完全消失形成大尺度微流道,支撐材料預(yù)制塊隨LTCC基板一起燒結(jié),同時(shí)能為大尺度微流道支撐,防止大尺度微流道變形或者產(chǎn)生裂紋;
f.將步驟e所得的半成品加工成最終所需大尺度微流道LTCC基板所需外形;
其中,所述支撐材料與LTCC基板材料相同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于:步驟a采用等靜壓工藝制作。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于:步驟b采用精細(xì)激光工藝加工。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于:步驟d采用等靜壓工藝壓合。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于:步驟f采用激光或者砂輪劃片的方式加工。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于:所述犧牲材料預(yù)制塊采用碳基生瓷片,其厚度與生瓷流道厚度相當(dāng)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于:所述支撐材料預(yù)制塊采用LTCC生瓷片,其厚度與生瓷微流道厚度相當(dāng)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于:所述LTCC基板材料為Dupont951。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





