[發明專利]3電平I型逆變器及半導體模塊有效
| 申請號： | 201910139296.8 | 申請日： | 2019-02-22 |
| 公開（公告）號： | CN110198128B | 公開（公告）日： | 2021-10-29 |
| 發明（設計）人： | 石野雅章;西田信也 | 申請（專利權）人： | 三菱電機株式會社 |
| 主分類號： | H02M7/00 | 分類號： | H02M7/00;H02M7/483;H02M7/5387 |
| 代理公司： | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;張天舒 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電平 逆變器 半導體 模塊 | ||
1.一種3電平I型逆變器，其具有：
第1、第2、第3及第4開關器件，它們在被賦予第1電位的第1主電源節點與被賦予比所述第1電位低的第2電位的第2主電源節點之間，從所述第1電位側起依次串聯連接；
第1、第2、第3及第4二極管，它們分別與所述第1～第4開關器件反向并聯連接；以及
第5及第6二極管，它們在所述第1及第2開關器件的連接節點和所述第3及第4開關器件的連接節點之間，以相對于所述第2及第3開關器件的串聯連接反向并聯的方式串聯連接，
所述第5及第6二極管的連接節點與輸入節點連接，該輸入節點被賦予所述第1電位與所述第2電位的中間電位，
所述第2及第3開關器件的連接節點與輸出節點連接，
所述第2開關器件及所述第2二極管由包含于第1反向導通IGBT的IGBT及二極管構成，
所述第3開關器件及所述第3二極管由包含于第2反向導通IGBT的IGBT及二極管構成，
所述第1開關器件為IGBT，
所述第1反向導通IGBT的芯片面積比所述第1開關器件的芯片面積大，
所述第4開關器件為IGBT，
所述第2反向導通IGBT的芯片面積比所述第4開關器件的芯片面積大。
2.一種3電平I型逆變器，其具有：
第1、第2、第3及第4開關器件，它們在被賦予第1電位的第1主電源節點與被賦予比所述第1電位低的第2電位的第2主電源節點之間，從所述第1電位側起依次串聯連接；
第1、第2、第3及第4二極管，它們分別與所述第1～第4開關器件反向并聯連接；以及
第5及第6二極管，它們在所述第1及第2開關器件的連接節點和所述第3及第4開關器件的連接節點之間，以相對于所述第2及第3開關器件的串聯連接反向并聯的方式串聯連接，
所述第5及第6二極管的連接節點與輸入節點連接，該輸入節點被賦予所述第1電位與所述第2電位的中間電位，
所述第2及第3開關器件的連接節點與輸出節點連接，
所述第2開關器件及所述第2二極管由包含于第1反向導通IGBT的IGBT及二極管構成，
所述第3開關器件及所述第3二極管由包含于第2反向導通IGBT的IGBT及二極管構成，
所述第1及第4開關器件由將碳化硅作為半導體材料的MOS晶體管構成，
所述第1、第4、第5及第6二極管由將碳化硅作為半導體材料的肖特基勢壘二極管構成，
所述第1反向導通IGBT的芯片面積比所述第1開關器件的芯片面積大，
所述第2反向導通IGBT的芯片面積比所述第4開關器件的芯片面積大。
3.一種半導體模塊，其將權利要求1或2所述的3電平I型逆變器收容于1個封裝件內，
在該半導體模塊中，
所述第1主電源節點、所述第2主電源節點、所述輸入節點及所述輸出節點在所述封裝件的中央部配置成一列。
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