[發明專利]一種柔性OLED器件及其制備方法有效
| 申請號: | 201910139080.1 | 申請日: | 2019-02-25 |
| 公開(公告)號: | CN109755287B | 公開(公告)日: | 2021-12-28 |
| 發明(設計)人: | 郭天福 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 柔性 oled 器件 及其 制備 方法 | ||
1.一種柔性OLED器件,其特征在于,包括:
柔性基板;
絕緣層,所述絕緣層設置于所述柔性基板上;
薄膜晶體管層,所述薄膜晶體管層設置于所述絕緣層上;
平坦層,所述平坦層設置于所述薄膜晶體管層上;
像素定義層,所述像素定義層設置于所述平坦層上,所述像素定義層包括多個間隔設置的開口及設置在相鄰兩個開口間的凸塊;
有機發光層,所述有機發光層設置于所述像素定義層上;以及
薄膜封裝層,所述薄膜封裝層包覆于所述像素定義層和有機發光層上;
所述平坦層、像素定義層的凸塊和薄膜封裝層中的至少一個膜層中設有貫穿其所在膜層的凹槽,所述凹槽內填充有第一材料;
所述凹槽包括底面以及與其所在膜層相接的左側面和右側面,所述左側面和右側面中至少一個側面包括波浪曲面、單一彎折面、連續彎折面或者凹凸面中的一種形狀或是上述形狀之間的組合;
當所述凹槽的左側面和右側面均為單一彎折面時,所述凹槽的左側面和右側面的彎折方向相同或相反。
2.根據權利要求1所述的柔性OLED器件,其特征在于,所述凹槽包括2個或以上數量,這些凹槽相互間隔設置在其所在膜層中。
3.根據權利要求1所述的柔性OLED器件,其特征在于,所述凹槽的左側面和右側面的彎折角度范圍為60-180°。
4.根據權利要求1所述的柔性OLED器件,其特征在于,所述第一材料的彈性模量小于100Mpa。
5.據權利要求1所述的柔性OLED器件,其特征在于,所述第一材料選自PVC或POE材料。
6.一種柔性OLED器件的制備方法,其特征在于,包括:
S1,提供一玻璃基板,通過PI涂布機在所述玻璃基板上涂布PI液,然后經過高溫固化制備出柔性基板,在所述柔性基板上依次制備出絕緣層、薄膜晶體管層、平坦層以及像素定義層,所述像素定義層包括多個間隔設置的開口及設置在相鄰兩個開口間的凸塊;
S2,通過光刻技術圖案化處理所述平坦層、像素定義層的凸塊和薄膜封裝層中的至少一個膜層中制備出貫穿其所在膜層的凹槽,在所述凹槽中填充第一材料,所述凹槽包括底面以及與其所在膜層相接的左側面和右側面,所述左側面和右側面中至少一個側面包括波浪曲面、單一彎折面、連續彎折面或者凹凸面中的一種形狀或是上述形狀之間的組合;當所述凹槽的左側面和右側面均為單一彎折面時,所述凹槽的左側面和右側面的彎折方向相同或相反;
S3,對所述像素定義層進行曝光顯影;
S4,在所述像素定義層上制備出有機發光層和薄膜封裝層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





