[發明專利]NAND閃存操作技術

有效

• 申請號: 201910136814.0
• 申請日: 2019-02-22
• 公開（公告）號: CN111048136B
• 公開（公告）日: 2021-11-16
• 發明（設計）人: 林威良;呂君章;蔡文哲;吳冠緯;張耀文
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: G11C16/08
• 分類號: G11C16/08;G11C16/24;G11C16/10
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種NAND存儲器的寫入方法，包括：

執行一寫入序列，對位于一NAND存儲單元串行中一被選取字線的一存儲單元進行寫入；其中該NAND存儲單元串行包括多個未被選取字線；該寫入序列包括一寫入驗證程序以及在該寫入驗證程序之后的一寫入程序；

在該寫入驗證程序中，將一驗證讀取電壓脈沖施加到該被選取字線，并將多個驗證通過電壓脈沖施加到這些未被選取字線；

在該寫入程序中，對該NAND存儲單元串行進行一預充電，然后將一寫入電壓脈沖施加到該被選取字線，并將多個寫入通過電壓脈沖施加到這些未被選取字線；以及

在這些驗證通過電壓脈沖和這些寫入通過電壓脈沖之間的一時間間隔中，對這些未被選取字線的至少一者施加一偏壓；其中該偏壓的最大電壓電平大于或等于被寫入的存儲單元的最大閾值電壓，并且用以導通位于這些未被選取字線的該至少一者的一存儲單元的一通道。

2.如權利要求1所述的NAND存儲器的寫入方法，其中該偏壓具有一最大電壓電平，小于這些寫入通過電壓脈沖的一最大電平。

3.如權利要求1所述的NAND存儲器的寫入方法，其中該偏壓具有一最大電壓電平，該最大電壓電平介于被寫入的該存儲單元的一最大閾值電壓值(VtMAX)至該最大閾值電壓值加1伏特之間(VtMAX+1Volt)。

4.如權利要求1所述的NAND存儲器的寫入方法，其中該偏壓包括壓降(step-dowm)，從這些驗證通過電壓脈沖其中之一的一后緣降到一中間偏壓電平，并保持該中間偏壓電平，直到這些寫入通過電壓脈沖其中之一的一前緣的一升壓(step-up)點。

5.如權利要求1所述的NAND存儲器的寫入方法，其中該偏壓包括一壓降，從這些驗證通過電壓脈沖其中之一的一后緣降到一中間偏壓電平，保持該中間偏壓電平持續一部份該時間間隔，并在這些寫入通過電壓脈沖其中之一的一前緣之前，降壓至一較低電壓電平。

6.如權利要求1所述的NAND存儲器的寫入方法，其中該偏壓包括一脈沖，具有一升壓(step-up)位于一脈沖前緣；該脈沖前緣位于這些驗證通過電壓脈沖其中之一的一后緣到一中間偏壓電平之間的一時間間隔；且該脈沖具有一脈沖后緣，位于這些寫入通過電壓脈沖其中之一的一前緣之前。

7.如權利要求1所述的NAND存儲器的寫入方法，其中該偏壓包括一第一壓降，從這些驗證通過電壓脈沖其中之一的一后緣降到一第一中間偏壓電平，保持該第一中間偏壓電平一部份該時間間隔，并在這些寫入通過電壓脈沖其中之一的一前緣之前，降壓至一較低電壓電平；以及一預啟動脈沖(pre-turn-on pulse)位于該第一壓降之后，并具有一升壓，上升至一第二中間偏壓電平，以及一第二壓降位于這些寫入通過電壓脈沖其中之一的一前緣之前。

8.如權利要求1所述的NAND存儲器的寫入方法，其中該偏壓包括一升壓，從這些驗證通過電壓脈沖其中之一的一后緣上升到一中間偏壓電平，保持該中間偏壓電平，直到這些寫入通過電壓脈沖其中之一的一前緣。

9.如權利要求1所述的NAND存儲器的寫入方法，其中該偏壓包括一壓降，從這些驗證通過電壓脈沖其中之一的一后緣降到一第一中間偏壓電平，保持該第一中間偏壓電平持續一部份該時間間隔，并在這些寫入通過電壓脈沖其中之一的一前緣之前，降壓至一較低電壓電平；于降壓之后升壓至一第二中間偏壓電平，以及維持該第二中間偏壓電平至這些寫入通過電壓脈沖其中之一的一前緣。