[發(fā)明專利]彈性表面波裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910136789.6
• 申請(qǐng)日: 2019-02-25
• 公開（公告）號(hào): CN110198159B
• 公開（公告）日: 2023-10-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 平塚祐也;廣田和博
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: NDK聲表濾波器股份有限公司
• 主分類號(hào): H03H9/64
• 分類號(hào): H03H9/64;H03H9/02
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 李艷;臧建明

1.一種彈性表面波裝置，其特征在于，包括：

晶體層；

非晶氧化硅層，層疊于所述晶體層上；

壓電層，層疊于所述非晶氧化硅層上；以及

梳形電極，形成于所述壓電層上，用于在所述壓電層上激勵(lì)彈性表面波；

其中，

當(dāng)將所述彈性表面波的波長(zhǎng)設(shè)為λ時(shí)，

0.1≤所述非晶氧化硅層的厚度/λ≤1，

0.08＜?jí)弘妼拥暮穸?λ≤1。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的彈性表面波裝置，其特征在于，

所述彈性表面波的頻率為2GHz以上。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的彈性表面波裝置，其特征在于，

所述壓電層的厚度/λ＜0.5。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的彈性表面波裝置，其特征在于，

所述非晶氧化硅層的厚度/λ＜0.5。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的彈性表面波裝置，其特征在于，

當(dāng)分別在曲線圖的橫軸上采用所述壓電層的厚度/λ，在曲線圖的縱軸上采用所述非晶氧化硅層的厚度/λ時(shí)，在將(壓電層的厚度/λ，非晶氧化硅層的厚度/λ)＝(0.2，0.4)、(0.3，0.4)、(0.4，0.6)、(0.7，0.9)、(0.5，1.0)、(0.3，1.0)、(0.2，0.8)的各坐標(biāo)利用直線加以連結(jié)而獲得的七邊形的區(qū)域內(nèi)，分別包含所述壓電層的厚度/λ、所述非晶氧化硅層的厚度/λ。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的彈性表面波裝置，其特征在于，

當(dāng)分別在曲線圖的橫軸上采用所述壓電層的厚度/λ，在曲線圖的縱軸上采用所述非晶氧化硅層的厚度/λ時(shí)，在將(壓電層的厚度/λ，非晶氧化硅層的厚度/λ)＝(0.1，0.1)、(0.4，0.1)、(0.3，0.5)、(0.2，0.5)、(0.1，0.4)的各坐標(biāo)利用直線加以連結(jié)而獲得的五邊形的區(qū)域內(nèi)，分別包含所述壓電層的厚度/λ、所述非晶氧化硅層的厚度/λ。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的彈性表面波裝置，其特征在于，

所述晶體層的切割面及彈性表面波的傳輸方向以歐拉角顯示

為

θ為123.25°≤θ≤127.25°、或-56.75°≤θ≤-52.75°，且

ψ為-20°≤ψ≤20°、70°≤ψ≤110°、160°≤ψ≤200°、或250°≤ψ≤290°。

8.一種彈性表面波裝置，其特征在于，包括：

晶體層；

非晶氧化硅層，層疊于所述晶體層上；

壓電層，層疊于所述非晶氧化硅層上；以及

梳形電極，形成于所述壓電層上，用于在所述壓電層上激勵(lì)2GHz以上的彈性表面波；

其中，

當(dāng)將所述彈性表面波的波長(zhǎng)設(shè)為λ時(shí)，

所述非晶氧化硅層的厚度/λ≤1。