[發明專利]形成圖像傳感器的方法在審
| 申請號： | 201910135136.6 | 申請日： | 2019-02-25 |
| 公開（公告）號： | CN109904182A | 公開（公告）日： | 2019-06-18 |
| 發明（設計）人： | 楊龍康;林宗德;黃仁德;李曉明 | 申請（專利權）人： | 德淮半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/146 | 分類號： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人： | 田菁 |
| 地址： | 223300 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 光學隔離 刻蝕停止層 犧牲層 圖像傳感器 襯底 刻蝕 半導體 半導體材料 光電二極管 處理停止 像素單元 填充 制造 | ||
1.一種形成圖像傳感器的方法，其特征在于，包括：
在半導體襯底之上形成刻蝕停止層，所述半導體襯底被配置為形成光電二極管；
在所述刻蝕停止層之上形成犧牲層，所述犧牲層與所述刻蝕停止層包括不同的材料；
在所述犧牲層中，在與將要形成的光學隔離件對應的區域通過刻蝕處理形成凹槽，所述光學隔離件用于像素單元之間的光學隔離，所述刻蝕處理停止在所述刻蝕停止層；以及
在所述凹槽中填充光學隔離材料以形成所述光學隔離件。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括：
在形成所述光學隔離件之后，去除整個所述犧牲層；以及
在相鄰的所述光學隔離件之間形成濾色器。
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，還包括：
在除所述犧牲層之后并且在形成所述濾色器之前，去除整個所述刻蝕停止層。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括：
在形成所述刻蝕停止層之前，在半導體襯底之上形成間隔層，所述間隔層與所述刻蝕停止層包括不同的材料，其中，
在半導體襯底之上形成刻蝕停止層包括：在所述間隔層之上形成所述刻蝕停止層；
通過所述刻蝕處理形成所述凹槽包括：通過第一刻蝕處理和第二刻蝕處理形成所述凹槽，其中所述第一刻蝕處理針對所述犧牲層在所述區域內的部分進行刻蝕并停止在所述刻蝕停止層，所述第二刻蝕處理針對所述刻蝕停止層在所述區域內的部分進行刻蝕并停止在所述間隔層。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述犧牲層包括氧化物，所述刻蝕停止層包括氮化物。
6.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述間隔層包括氧化物。
7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述光學隔離材料包括金屬。
8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述金屬為鎢。
9.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，還包括：
在所述凹槽中填充光學隔離材料之前，在所述凹槽中形成粘附層，所述粘附層覆蓋所述凹槽的側壁和底壁，。
10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述粘附層包括氮化鈦。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
