[發明專利]基底加工裝置以及基底加工方法

在審

• 申請號: 201910132969.7
• 申請日: 2019-02-22
• 公開（公告）號: CN110391122A
• 公開（公告）日: 2019-10-29
• 發明（設計）人: 森幸博
• 申請（專利權）人: ASMIP控股有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京匯信合知識產權代理有限公司 11335
• 代理人: 李宏悅

1.一種基底加工裝置，包括：

臺板；

外周緣環，其圍繞所述臺板，同時在所述臺板的側表面與所述外周緣環之間設置有間隙；

供氣單元，其構造為從所述間隙的下側向所述間隙的上側供應氣體；以及

上電極，其設置在所述臺板的上方。

2.根據權利要求1所述的基底加工裝置，其中，所述上電極包括第一部分和第二部分，所述第一部分具有面對所述臺板的第一底表面，所述第二部分圍繞所述第一部分并且具有第二底表面。

3.根據權利要求2所述的基底加工裝置，其中，所述第一部分和所述第二部分由金屬形成，并且所述第二底表面處于比所述第一底表面高的位置。

4.根據權利要求2或3所述的基底加工裝置，其中，所述第一底表面具有從大于所述臺板的直徑10mm的數值至小于所述臺板的直徑10mm的數值的直徑范圍。

5.根據權利要求1至3中任一項所述的基底加工裝置，其中，所述臺板具有比基底的直徑小的直徑。

6.根據權利要求1至3中任一項所述的基底加工裝置，其中，所述臺板和所述外周緣環接地，并且高頻電源連接至所述上電極。

7.根據權利要求1至3中任一項所述的基底加工裝置，還包括排氣管，所述排氣管設置在所述外周緣環的上方并且在平面圖中圍繞所述臺板，其中，所述排氣管設置排氣通道，由所述排氣管圍繞的空間中的氣體經由所述排氣通道被排放至外部。

8.根據權利要求1至3中任一項所述的基底加工裝置，其中，穿透所述上電極的上電極通孔形成在所述臺板的中央的正上方。

9.根據權利要求8所述的基底加工裝置，還包括用于從所述上電極通孔的上側向下供應惰性氣體的惰性氣體供應單元。

10.根據權利要求2所述的基底加工裝置，其中，所述第一部分由絕緣體形成，并且所述第二部分由導體形成。

11.根據權利要求2所述的基底加工裝置，其中，所述第二底表面處于比所述第一底表面低的位置。

12.一種基底加工方法，包括：

僅將基底的中央部放置在臺板上，所述基底具有中央部和用于圍繞所述中央部的圍繞部；以及

將高頻功率施加至所述臺板上方的上電極，同時從所述圍繞部的下側向所述圍繞部的周圍供應反應氣體，由此在所述圍繞部的背表面側和所述圍繞部的側表面側生成等離子體以在所述圍繞部上執行等離子體加工。

13.根據權利要求12所述的基底加工方法，其中，執行所述等離子體加工同時使惰性氣體從所述基底的上表面的中央的正上方的位置沿徑向流動。

14.根據權利要求12或13所述的基底加工方法，其中，執行所述等離子體加工，使得僅在所述圍繞部上執行所述等離子體加工并且所述等離子體不作用在所述中央部上。

15.根據權利要求12或13所述的基底加工方法，其中，在所述等離子體加工之前，第一膜出現在所述中央部的上表面上，第二膜出現在所述圍繞部的上表面上，第三膜出現在所述圍繞部的側表面上，而第四膜出現在所述圍繞部的背表面上，并且在所述等離子體加工期間，去除所述第三膜和所述第四膜，同時留下所述第一膜和所述第二膜。

16.根據權利要求12或13所述的基底加工方法，其中，在所述等離子體加工之前，第一膜出現在所述中央部的上表面上，第二膜出現在所述圍繞部的上表面上，第三膜出現在所述圍繞部的側表面上，而第四膜出現在所述圍繞部的背表面上，所述第三膜和所述第四膜為作為具有內部應力的膜的應力膜，并且在所述等離子體加工期間，應力緩和膜形成在所述應力膜上。

17.根據權利要求12或13所述的基底加工方法，其中，所述反應氣體包含氧氣。