[發(fā)明專利]一種銅-銅鍵合的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910132238.2 | 申請日： | 2019-02-22 |
| 公開（公告）號： | CN111613542A | 公開（公告）日： | 2020-09-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王英輝;陸陽婷 | 申請（專利權(quán)）人： | 中科院微電子研究所昆山分所 |
| 主分類號： | H01L21/60 | 分類號： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 215347 江蘇省蘇州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 銅鍵合 方法 | ||
1.一種銅-銅鍵合的方法，包括以下步驟：
a)在襯底上依次沉積Ti緩沖層和銅薄膜層，得到待鍵合樣品；
b)將兩個步驟a)得到的待鍵合樣品的銅薄膜層相對放置，在惰性氣體保護條件下依次進行甲酸處理和加壓處理，得到鍵合后的產(chǎn)品。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟a)中所述沉積的方式為磁控濺射。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟a)中所述Ti緩沖層的厚度為5nm～15nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟a)中所述銅薄膜層的厚度為450nm～550nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟b)中所述甲酸處理的過程具體為：
將兩個步驟a)得到的待鍵合樣品置于密閉環(huán)境中，使二者的銅薄膜層相對放置，抽真空后通入惰性氣體進行保護，再加熱上述兩個待鍵合樣品，然后通入甲酸氣體使其分別與兩個待鍵合樣品的銅薄膜層接觸，得到兩個甲酸處理后的待鍵合樣品。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，步驟b)中所述抽真空的真空度為1Pa～10Pa。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，步驟b)中所述加熱的溫度為175℃～225℃。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，步驟b)中所述通入甲酸氣體的流量為15mL/min～25mL/min，時間為0.5min～60min。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，步驟b)中所述接觸的過程具體為：
通入的甲酸氣體分別在兩個待鍵合樣品的銅薄膜層表面吸附后進行還原反應(yīng)，脫附后得到兩個甲酸處理后的待鍵合樣品。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟b)中所述加壓處理的壓力為800N～2000N，時間為5min～60min。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中科院微電子研究所昆山分所，未經(jīng)中科院微電子研究所昆山分所許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910132238.2/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：一種緩沖隔震系統(tǒng)及安裝方法
- 下一篇：機動式篩選總成
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
