[發明專利]硅晶向鑒別儀

有效

• 申請號: 201910129809.7
• 申請日: 2019-02-21
• 公開（公告）號: CN109827961B
• 公開（公告）日: 2021-08-13
• 發明（設計）人: 王振宇;喬治;蔡一博;高文強;沈世華;焦新兵
• 申請（專利權）人: 上海理工大學
• 主分類號: G01N21/84
• 分類號: G01N21/84;G01N21/21;G01N21/47
• 代理公司: 上海天協和誠知識產權代理事務所 31216
• 代理人: 沈國良

1.一種硅晶向鑒別儀，其特征在于：本鑒別儀包括沿光束方向依次設置的激光發射器、透鏡、檢測單元、分束單元以及光強探測器和偏振探測器，所述激光發射器發射的激光通過所述透鏡聚焦后照射至所述檢測單元，檢測單元形成反射光輸出至所述分束單元，分束單元輸出兩路光束并且分別被所述光強探測器和偏振探測器接收，所述光強探測器測出經檢測單元后反射激光的光強和光斑的位移，所述偏振探測器測出經檢測 單元后反射激光的偏振和光斑的位移，所述檢測單元包括表面涂覆二氧化硅薄膜的硅板、以及分別設于硅板表面的二氧化硅薄膜一側和硅板背面另一側的正負電極，所述正負電極包括層疊的銅片和石墨片并且石墨片分別連接所述硅板背面和二氧化硅薄膜，所述正負電極分別連接直流電源的正負端。

2.根據權利要求1所述的硅晶向鑒別儀，其特征在于：所述石墨片的厚度為10nm～5mm，所述二氧化硅薄膜由磁控濺射法制備，其厚度為1～100nm。

3.根據權利要求1或2所述的硅晶向鑒別儀，其特征在于：所述檢測單元的激光入射角度為0～90°，入射光與反射光的夾角為0～180°。

4.根據權利要求3所述的硅晶向鑒別儀，其特征在于：所述激光發射器為小功率半導體激光發射器，其輸出激光波長為200～1800nm。