[發明專利]一種通孔的激光加工方法有效
| 申請號： | 201910127720.7 | 申請日： | 2019-02-26 |
| 公開（公告）號： | CN109904114B | 公開（公告）日： | 2021-03-19 |
| 發明（設計）人： | 陳潔 | 申請（專利權）人： | 深圳市星漢激光科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 東營雙橋專利代理有限責任公司 37107 | 代理人： | 侯玉山 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市寶安區福海*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 激光 加工 方法 | ||
1.一種通孔的激光加工方法，包括如下步驟：
（1）提供一待鉆孔的半導體襯底，具有相對的正面和背面；
（2）在所述襯底上利用激光鉆蝕出盲孔，所述盲孔未貫穿所述襯底且具有第一孔徑D；
（3）在所述盲孔中填充可活化銅有機物；
（4）利用上述激光照射所述盲孔，使得所述可活化銅有機物中的有機物揮發，并在所述盲孔的側壁留下活化的銅層；
（5）利用上述激光繼續進行鉆蝕所述盲孔底部直至貫穿所述襯底，形成貫通孔，所述貫通孔的下半部分具有第二孔徑r；
（6）在所述貫通孔中填充導電物質形成最終的通孔。
2.根據權利要求1所述的通孔的激光加工方法，其特征在于：所述步驟（4）中的激光的能量小于所述步驟（5）中的激光能量。
3.根據權利要求1所述的通孔的激光加工方法，其特征在于：其中，第一孔徑D第二孔徑r。
4.根據權利要求1所述的通孔的激光加工方法，其特征在于：其中，10μm≤D≤25μm，5μm≤r≤15μm。
5.根據權利要求1所述的通孔的激光加工方法，其特征在于：所述活化的銅層的厚度小于或等于2μm。
6.根據權利要求1所述的通孔的激光加工方法，其特征在于：在所述步驟（6）中填充導電物質包括電鍍銅、電鍍鎳。
7.根據權利要求1所述的通孔的激光加工方法，其特征在于：所述活化的銅層的粗糙度大于0.05μm。
8.根據權利要求1所述的通孔的激光加工方法，其特征在于：所述步驟（5）中形成貫通孔的具體方法包括：加大激光的能量，使得激光束對準所述盲孔的底部，所述活化的銅層作為保護層，防止激光對盲孔側壁的進一步燒蝕，直至完全鉆蝕貫穿所述襯底。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
