[發(fā)明專利]半導(dǎo)體工藝的反應(yīng)副產(chǎn)物收集裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910123915.4 | 申請(qǐng)日: | 2019-02-19 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111223790B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-05-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 趙宰孝;孫平憙;金睿真;金智洙 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 未來(lái)寶株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67;B01D5/00;B01D53/00 |
| 代理公司: | 北京冠和權(quán)律師事務(wù)所 11399 | 代理人: | 朱健;張國(guó)香 |
| 地址: | 韓國(guó)京畿*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 工藝 反應(yīng) 副產(chǎn)物 收集 裝置 | ||
1.一種半導(dǎo)體工藝的反應(yīng)副產(chǎn)物收集裝置,其設(shè)置于工藝反應(yīng)腔和真空泵之間的線上,用于收集從所述工藝反應(yīng)腔排出的廢氣內(nèi)的反應(yīng)副產(chǎn)物,半導(dǎo)體工藝的反應(yīng)副產(chǎn)物收集裝置的特征在于,包括:
殼體(110),其將流入的廢氣收容后排出,在內(nèi)壁形成有產(chǎn)生渦流的水平渦流板;
上板(120),其覆蓋殼體的上部,并形成有冷卻水流路,冷卻水流路用于維持對(duì)于O型圈保護(hù)及反應(yīng)副產(chǎn)物收集來(lái)說(shuō)的適當(dāng)?shù)臏囟龋?/p>
內(nèi)部收集塔(130),其在殼體內(nèi)部以向上部隔開(kāi)一定間隔的形式設(shè)置,設(shè)置有收集塔罩和罩板,以便增加流入的廢氣的流路和滯留時(shí)間,從而凝集并收集反應(yīng)副產(chǎn)物;
加熱器(140),其設(shè)置有熱電導(dǎo)板,對(duì)流入殼體的廢氣進(jìn)行加熱并平均分配;
延長(zhǎng)排出口(150),其以延長(zhǎng)至內(nèi)部收集塔內(nèi)部的形式設(shè)置,增加流入的廢氣的流路和滯留時(shí)間的同時(shí)使廢氣通過(guò)殼體下板的氣體排出口排出;
所述內(nèi)部收集塔(130)包括:
收集塔罩(131),其構(gòu)成外形;
罩板(132),其沿著收集塔罩的各個(gè)側(cè)面邊緣隔開(kāi)一定間隔設(shè)置有多個(gè)并收集反應(yīng)副產(chǎn)物;
傾斜渦流板(133),其和罩板交叉地沿橫向設(shè)置并產(chǎn)生渦流。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體工藝的反應(yīng)副產(chǎn)物收集裝置,其特征在于,
在所述殼體的上板,在與設(shè)置于收集塔罩的罩板的上部區(qū)域相應(yīng)的區(qū)域,形成有冷卻水流路(122),從而冷卻殼體內(nèi)部廢氣。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體工藝的反應(yīng)副產(chǎn)物收集裝置,其特征在于,
所述熱電導(dǎo)板與在殼體內(nèi)向一側(cè)偏心的加熱器以向遠(yuǎn)的另一側(cè)殼體空間部方向的側(cè)方向延長(zhǎng)的形式設(shè)置,對(duì)內(nèi)部收集塔的上部方向的廢氣進(jìn)行加熱。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體工藝的反應(yīng)副產(chǎn)物收集裝置,其特征在于,所述內(nèi)部收集塔(130)包括:
下部水平支撐板(134),其在殼體的下部以隔開(kāi)一定間隔的形式設(shè)置并連接位于上部的收集塔罩(131),形成有多個(gè)貫通孔(134a),以便防止低密度多孔反應(yīng)副產(chǎn)物流出,同時(shí)使得廢氣流入收集塔罩(131)內(nèi)部,并在一處插入有延長(zhǎng)排出口(150);
形成有多個(gè)貫通孔(135a)的豎直板(135)及形成有多個(gè)貫通孔(136a)的水平板(136),其以格子形設(shè)置于下部水平支撐板的上部收集塔罩內(nèi)部,防止通過(guò)延長(zhǎng)排出口(150)排出的廢氣中低密度多孔反應(yīng)副產(chǎn)物的流出。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體工藝的反應(yīng)副產(chǎn)物收集裝置,其特征在于,
所述收集塔罩(131)設(shè)置為下部開(kāi)放的盒子結(jié)構(gòu),切斷從氣體流入口流入的廢氣直接向形成于殼體的下板的氣體排出口的流動(dòng),通過(guò)下部開(kāi)放部(131a)和形成于各個(gè)側(cè)面下部的多個(gè)側(cè)面貫通孔(131b)向內(nèi)部空間流入廢氣。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體工藝的反應(yīng)副產(chǎn)物收集裝置,其特征在于,
在所述罩板(132)的一側(cè),以具有一定角度傾斜的形式被切開(kāi)的傾斜槽(132a)沿上下形成為多段并插入有傾斜渦流板(133)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體工藝的反應(yīng)副產(chǎn)物收集裝置,其特征在于,
所述傾斜渦流板(133)在面上沿長(zhǎng)度方向形成有多個(gè)貫通槽(133a),罩板(132)設(shè)置在收集塔罩(131)的短邊側(cè)或長(zhǎng)邊側(cè)中的一個(gè)以上的面,在罩板(132)設(shè)置有一段以上。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體工藝的反應(yīng)副產(chǎn)物收集裝置,其特征在于,
所述傾斜渦流板(133)設(shè)置為,以多段設(shè)置時(shí)具有下部側(cè)的段比上部側(cè)的段更向外側(cè)凸出的形狀。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體工藝的反應(yīng)副產(chǎn)物收集裝置,其特征在于,
在所述豎直板形成的多個(gè)貫通孔設(shè)置為,位于下部的貫通孔大,位于上部的貫通孔小。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于未來(lái)寶株式會(huì)社,未經(jīng)未來(lái)寶株式會(huì)社許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910123915.4/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:雙極晶體管
- 下一篇:自行車用曲柄變速齒輪裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
- 一種制備聚碳酸酯的方法
- 針葉樹(shù)副產(chǎn)物發(fā)酵液及其制備方法、含該發(fā)酵液的飼料及飲用水
- 用于移除懸浮熔煉爐中的副產(chǎn)物的方法和裝置
- 一種硫酸鉀聯(lián)產(chǎn)氯化鈣小蘇打的循環(huán)制造方法
- 一種以魷魚(yú)加工副產(chǎn)物為原料制備氨基酸營(yíng)養(yǎng)液的方法
- 一種微生物發(fā)酵魷魚(yú)加工副產(chǎn)物生物制品的制備方法
- 洋蔥去皮機(jī)及構(gòu)成上述洋蔥去皮機(jī)的洋蔥去皮配件
- 一種交聯(lián)電纜絕緣線芯副產(chǎn)物的檢測(cè)方法
- 一種甲醇生產(chǎn)過(guò)程中產(chǎn)生的副產(chǎn)物成分分析方法
- 一種玉米副產(chǎn)物基合成橡膠環(huán)境友好材料及其制備方法





