[發明專利]渦流補償方法及渦流補償系統有效
| 申請號: | 201910123266.8 | 申請日: | 2019-02-18 |
| 公開(公告)號: | CN109633757B | 公開(公告)日: | 2020-10-20 |
| 發明(設計)人: | 包蘇新;榮亮亮;裴易峰;伍俊;邱隆清;謝曉明;張懿 | 申請(專利權)人: | 中國科學院上海微系統與信息技術研究所;中國科學院大學 |
| 主分類號: | G01V3/10 | 分類號: | G01V3/10;G01V3/38 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明偉 |
| 地址: | 200050 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 渦流 補償 方法 系統 | ||
1.一種渦流補償方法,其特征在于,所述渦流補償方法至少包括:
設置SQUID系統,使所述SQUID系統不受干擾源的干擾;
對所述SQUID系統外圍的激勵線圈施加激勵信號,產生脈沖磁場,獲取所述SQUID系統的輸出信號;
對所述SQUID系統的輸出信號進行求導,獲得傳輸函數;
將用于探測的發射電流和所述傳輸函數進行卷積,獲得所述SQUID系統的渦流響應信號;
將所述SQUID系統的輸出信號減去所述SQUID系統的渦流響應信號,獲得被測對象的響應信號。
2.根據權利要求1所述的渦流補償方法,其特征在于:所述激勵信號為階躍信號。
3.根據權利要求1或2所述的渦流補償方法,其特征在于:所述干擾源包括大地磁場、工頻噪聲或金屬物。
4.根據權利要求1或2所述的渦流補償方法,其特征在于:當所述SQUID系統的外圍包覆多層單面導電金屬薄膜時,將所述發射電流和所述傳輸函數卷積以獲得所述SQUID系統的渦流響應和所述單面導電金屬薄膜的渦流響應信號;然后將所述SQUID系統的輸出信號減去所述SQUID系統的渦流響應信號及所述單面導電金屬薄膜的渦流響應信號,獲得被測對象的響應信號。
5.根據權利要求1或2所述的渦流補償方法,其特征在于:所述渦流補償方法適用于瞬變電磁系統。
6.一種渦流補償系統,基于如權利要求1~5任意一項所述的渦流補償方法,其特征在于,所述渦流補償系統至少包括:
SQUID系統,設置于絕緣支架上,用于獲得被測對象的響應信號及渦流響應信號;
激勵線圈,套設于所述SQUID系統的外部,用于產生脈沖磁場;
運算單元,連接于所述SQUID系統的輸出端,并接收用于探測的發射電流,用于進行渦流補償運算。
7.根據權利要求6所述的渦流補償系統,其特征在于:所述絕緣支架的高度不小于10m。
8.根據權利要求6所述的渦流補償系統,其特征在于:所述絕緣支架的材質包括木材。
9.根據權利要求6所述的渦流補償系統,其特征在于:所述SQUID系統包括杜瓦、SQUID器件及讀出電路;所述SQUID器件浸泡于所述杜瓦中的制冷液體中;所述讀出電路設置于所述杜瓦外部,且通過導線與所述SQUID器件連接。
10.根據權利要求9所述的渦流補償系統,其特征在于:所述制冷液體包括液氦或液氮。
11.根據權利要求9所述的渦流補償系統,其特征在于:所述杜瓦包括無磁杜瓦。
12.根據權利要求9~11任意一項所述的渦流補償系統,其特征在于:所述渦流補償系統還包括包覆于所述杜瓦外部的多層單面導電金屬薄膜。
13.根據權利要求12所述的渦流補償系統,其特征在于:所述單面導電金屬薄膜的材質包括鋁。
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