[發明專利]一種能反射紅外光線的CuInSe2電池窗口層及制備方法在審
| 申請號: | 201910122980.5 | 申請日: | 2019-02-18 |
| 公開(公告)號: | CN109830551A | 公開(公告)日: | 2019-05-31 |
| 發明(設計)人: | 不公告發明人 | 申請(專利權)人: | 曾康 |
| 主分類號: | H01L31/032 | 分類號: | H01L31/032;H01L31/054;H01L21/02 |
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| 地址: | 410300 湖南省長沙*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 窗口層 紅外光線 電池 反射 亞甲基雙丙烯酰胺 薄膜太陽能電池 親水性丙烯酸 中空玻璃微珠 重量份數配比 近紅外光線 太陽能電池 可見光 海藻酸鈉 有效反射 入射 制備 制作 | ||
本發明涉及薄膜太陽能電池制作技術領域,且公開了一種能反射紅外光線的CuInSe2電池窗口層,所述CuInSe2電池窗口層包括以下重量份數配比的原料:5份中空玻璃微珠、7?10份TiCl4、300份Zn(NO3)2·6H2O、16?26份gAl(NO3)3·9H2O、5份海藻酸鈉、27.5份親水性丙烯酸、0.8?1.5份N,N?亞甲基雙丙烯酰胺、0.8?1.2份K2S2O8。本發明解決了現有的CuInSe2/CdS太陽能電池窗口層,在有效增加可見光入射的同時,無法實現有效反射近紅外光線的技術問題。
技術領域
本發明涉及薄膜太陽能電池制作技術領域,具體為一種能反射紅外光線的CuInSe2電池窗口層及制備方法。
背景技術
CuInSe2/CdS太陽能電池是以p型CuInSe2和n型CdS為異質結的薄膜太陽能電池,如圖1所示,在玻璃襯底1上一共沉積有五層薄膜,由下至上依次為:玻璃襯底1、厚度為500nm的金屬Mo背接觸層2、厚度為2um的CuInSe2吸收層3、厚度為50nm的CdS緩沖層4、厚度為50nm的本征ZnO層5、厚度為500nm的ZnO:Al窗口層6。
其中,能帶隙為1.53eV的CuInSe2吸收層3與可見光光譜最佳吸收位置1.45eV-1.5eV匹配良好,而頻率太小的紅外光線無法使CuInSe2/CdS太陽能電池PN結內部的電子躍遷到更高的能帶,更加無法使其產生空穴載流子對,尤其是波長800-2500nm的近紅外光線照射到CuInSe2/CdS太陽能電池PN結內部會產生熱效應,導致CuInSe2/CdS太陽能電池內部各層薄膜的工作性能受到影響,進而產生光致衰退效應。
而現有的ZnO:Al窗口層6對可見光透過率約為75%,對紅外光反射率可達90%,但是上述ZnO:Al窗口層6只對波長>2500nm的紅外線效果較好,而對近紅外線幾乎沒有反射效率,而太陽輻射波長主要分布在250-2500nm范圍內,太陽光譜中主要是紅外波段直接產生熱效應,也就是800-2500nm的近紅外部分,其占太陽光譜能量的44%,而>2500nm的中紅外只占太陽光能量的3%,所以上述ZnO:Al窗口層6并不具備反射波長800-2500nm的近紅外光線的功能。
本發明提供一種能反射紅外光線的CuInSe2電池窗口層及制備方法,旨在解決現有的CuInSe2/CdS太陽能電池窗口層,在有效增加可見光入射的同時,無法實現有效反射近紅外光線的技術問題。
發明內容
(一)解決的技術問題
針對現有技術的不足,本發明提供了一種能反射紅外光線的CuInSe2電池窗口層及制備方法,解決了現有的CuInSe2/CdS太陽能電池窗口層,在有效增加可見光入射的同時,無法實現有效反射近紅外光線的技術問題。
(二)技術方案
為實現上述目的,本發明提供如下技術方案:
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H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
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H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





