[發明專利]顯示基板的制作方法、顯示基板及顯示面板

在審

• 申請號: 201910122256.2
• 申請日: 2019-02-19
• 公開（公告）號: CN109712933A
• 公開（公告）日: 2019-05-03
• 發明（設計）人: 曹可;楊成紹;桂學海;劉融
• 申請（專利權）人: 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 姜春咸;陳源

本發明提供一種顯示基板的制作方法，所述制作方法包括：提供初始基板；形成半導體初始圖形，其中，所述半導體初始圖形包括形成在所述初始基板上的非晶硅圖形和形成在所述非晶硅圖形背離所述初始基板的表面上的金屬圖形；利用電磁感應的方式對所述金屬圖形加熱，以使得所述非晶硅圖形再結晶形成為多晶硅圖形。本發明還提供一種利用該方法制得的顯示基板以及包括所述顯示基板的顯示面板，所述制作方法可以避免顯示基板在退火工藝中受熱變形。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，具體地，涉及一種顯示基板的制作方法、利用該方法制得的顯示基板以及包括所述顯示基板的顯示面板。

背景技術

低溫多晶硅薄膜晶體管由于其具有較好的開關性能而得到了廣泛的應用。低溫多晶硅薄膜晶體管的有源層由低溫多晶硅材料制成。為了獲得低溫多晶硅材料，需要在襯底基板上形成一層非晶硅層，然后利用固相晶化法對非晶硅層進行退火，退火溫度在500℃～1000℃左右。

由于執行固相晶化法的過程中，需要利用高溫爐對形成有非晶硅層的襯底基板進行持續加熱，不僅能耗較高，還會導致玻璃等材質制作的襯底基板受熱變形。

因此，如何避免在退火工藝中所述顯示基板受熱變形成為亟需解決的技術問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種顯示基板的制作方法，所述制作方法可以避免顯示基板在退火工藝中受熱變形。

為解決上述技術問題，作為本發明第一個方面，提供一種顯示基板的制作方法，其中，所述制作方法包括：

提供初始基板；

形成半導體初始圖形，其中，所述半導體初始圖形包括形成在所述初始基板上的非晶硅圖形和形成在所述非晶硅圖形背離所述初始基板的表面上的金屬圖形，所述金屬圖形的形狀與所述非晶硅圖形的形狀一致；

利用電磁感應的方式對所述金屬圖形加熱，以使得所述非晶硅圖形再結晶形成為多晶硅圖形。

優選地，在利用電磁感應的方式對所述金屬圖形加熱的步驟中，加熱時間為20s～180s。

優選地，在利用電磁感應的方式對所述金屬圖形加熱的步驟中，用于產生電磁感應的射頻功率為2000W～7000W。

優選地，所述金屬圖形的材料包括鎢。

優選地，所述形成半導體初始圖形的步驟包括：

形成非晶硅材料層；

形成金屬材料層；

對所述金屬材料層進行圖形化，以形成所述金屬圖形；

以所述金屬圖形為掩膜刻蝕所述非晶硅材料層，以形成所述非晶硅圖形。

優選地，所述形成半導體初始圖形的步驟包括在形成非晶硅材料層的步驟和形成金屬材料層的步驟之間進行的以下步驟：

對所述非晶硅材料層進行脫氫。

優選地，所述對所述非晶硅材料層進行脫氫的步驟中：

執行脫氫工藝的溫度為350℃～450℃。

優選地，所述制作方法還包括利用電磁感應的方式對所述金屬圖形加熱的步驟之后執行的：

去除所述金屬圖形。

作為本發明第二個方面，提供一種顯示基板，其中，所述顯示基板采用本發明所提供的制作方法制得，所述顯示基板包括多個薄膜晶體管，所述多晶硅圖形為所述薄膜晶體管的有源層。

作為本發明第三個方面，提供一種顯示面板，所述顯示面板包括顯示基板，其中，所述顯示基板為本發明所提供的顯示基板。

附圖說明