[發明專利]用于抑制熱吸收的光掩模基板和光掩模在審
| 申請號： | 201910121990.7 | 申請日： | 2015-02-04 |
| 公開（公告）號： | CN110058487A | 公開（公告）日： | 2019-07-26 |
| 發明（設計）人： | 河泰中 | 申請（專利權）人： | 愛思開海力士有限公司 |
| 主分類號： | G03F1/50 | 分類號： | G03F1/50;G03F1/38;G03F1/26;G03F1/52 |
| 代理公司： | 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 許偉群;郭放 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 高反射材料 透光 襯底 光掩模基板 光掩模 轉移圖案層 反射光 反射率 熱吸收 預設 | ||
【權利要求書】：
1.一種光掩模，其包括：
透光襯底；以及
光屏蔽層圖案，其被設置在所述透光襯底上以在光刻工藝期間被轉移到晶圓，所述光屏蔽層圖案在其中具有暴露出所述透光襯底的溝槽區段。
2.根據權利要求1所述的光掩模，其中，所述溝槽區段被界定為在第一方向上是縱長的，并且在實質垂直于所述第一方向的第二方向上是彼此分開的。
3.根據權利要求2所述的光掩模，其中，所述溝槽區段在所述第二方向上的寬度是具有不致使所述溝槽區段在光刻工藝中被轉移到晶圓的程度的寬度。
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- 專利分類
G03 攝影術；電影術；利用了光波以外其他波的類似技術；電記錄術；全息攝影術
G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準或測試的特殊涂層或標記；其制備
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