[發明專利]一種能有效提高與CuInSe2層歐姆接觸性能的Mo層

在審

• 申請號: 201910119795.0
• 申請日: 2019-02-18
• 公開（公告）號: CN109887641A
• 公開（公告）日: 2019-06-14
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 鄧建明
• 主分類號: H01B1/22
• 分類號: H01B1/22;H01L31/0224
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明涉及薄膜太陽能電池制作技術領域，且公開了一種能有效提高與CuInSe₂層歐姆接觸性能的Mo層，所述Mo層包括以下重量份數配比的原料：60?80g納米Mo粉、8.4?11.4g玻璃粉、0.5?1g乙基纖維素、2?3mL丁基卡必醇醋酸酯、1?2mL鄰苯二甲酸二丁酯、1?1.5mL丙烯酸單體、4?5.5mL松油醇。本發明解決了現有技術中Mo層與CuInSe₂層，在太陽光的長期輻射下，歐姆接觸勢壘發生升高的技術問題。

技術領域

本發明涉及薄膜太陽能電池制作技術領域，具體為一種能有效提高與CuInSe₂層歐姆接觸性能的Mo層。

背景技術

CuInSe₂/CdS太陽能電池是以p型CuInSe₂和n型CdS為異質結的薄膜太陽能電池，如圖1所示，在玻璃襯底1上一共沉積有五層薄膜，由下至上依次為：玻璃襯底1、厚度為500nm的金屬Mo背接觸層2、厚度為2um的CuInSe₂吸收層3、厚度為50nm的CdS緩沖層4、厚度為50nm的本征ZnO層5、厚度為500nm的ZnO:Al窗口層6。

盡管金屬Mo背接觸層2與CuInSe₂吸收層3能夠形成良好的歐姆接觸，且金屬Mo背接觸層2的熱膨脹系數與CuInSe₂吸收層3的熱膨脹系數接近，但是在太陽光的長期輻射下，金屬Mo背接觸層2與CuInSe₂吸收層3之間的層間界面作用力會發生減弱現象，從而導致金屬Mo背接觸層2與CuInSe₂吸收層3之間的歐姆接觸勢壘升高。

如果能通過增強金屬Mo背接觸層2與CuInSe₂吸收層3之間的粘結性能，以增強金屬Mo背接觸層2與CuInSe₂吸收層3之間層間界面作用力，則能夠有效地起到提高金屬Mo背接觸層2與CuInSe₂吸收層3之間的歐姆接觸性能的技術目的。

本發明提供一種能有效提高與CuInSe₂層歐姆接觸性能的Mo層，旨在解決現有技術中Mo層與CuInSe₂層，在太陽光的長期輻射下，歐姆接觸勢壘發生升高的技術問題。

發明內容

(一)解決的技術問題

針對現有技術的不足，本發明提供了一種能有效提高與CuInSe₂層歐姆接觸性能的Mo層，解決了現有技術中Mo層與CuInSe₂層，在太陽光的長期輻射下，歐姆接觸勢壘發生升高的技術問題。

(二)技術方案

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：

一種能有效提高與CuInSe₂層歐姆接觸性能的Mo層，所述Mo層包括以下重量份數配比的原料：60-80g納米Mo粉、8.4-11.4g玻璃粉、0.5-1g乙基纖維素、2-3mL丁基卡必醇醋酸酯、1-2mL鄰苯二甲酸二丁酯、1-1.5mL丙烯酸單體、4-5.5mL松油醇。

優選的，所述納米Mo粉的平均粒徑≤50nm。

優選的，所述玻璃粉由2g平均粒徑≤2.5um的PbO、1.5g平均粒徑≤50nm的B₂O₃、1g平均粒徑≤50nm的SiO₂、3.5g平均粒徑≤50nm的Bi₂O₃、0.8g平均粒徑≤50nm的Li₂O、0.8g平均粒徑≤100nm的MgO、0.8g平均粒徑≤50nm的ZnO、1g平均粒徑≤50nm的TiO₂組成。

優選的，所述Mo層的制備方法包括以下步驟：

S1.取60-80g納米Mo粉，備用；