[發明專利]半導體發光二極管裝置和燈具

有效

• 申請號: 201910118304.0
• 申請日: 2019-02-15
• 公開（公告）號: CN109841719B
• 公開（公告）日: 2020-04-24
• 發明（設計）人: 蔡金蘭;陳磊;冉崇高;盧淑芬;李超;林金填
• 申請（專利權）人: 旭宇光電（深圳）股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/50;H01L25/075
• 代理公司: 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 44414
• 代理人: 方良

1.一種半導體發光二極管裝置，包括基板，所述基板表面設置有凹下部，其特征在于，所述凹下部的底面設置有第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽；

所述第一凹槽內設置有第一光源，所述第一光源包括固定在所述第一凹槽底面的紫光LED芯片和設置在所述紫光LED芯片上的藍色熒光粉膠層；所述第二凹槽內設置有第二光源，所述第二光源包括固定在所述第二凹槽底面的第一藍光LED芯片和設置在所述第一藍光LED芯片上的綠色熒光粉膠層；所述第三凹槽內設置有第三光源，所述第三光源包括固定在所述第三凹槽底面的第二藍光LED芯片和設置在所述第二藍光LED芯片上的紅色熒光粉膠層；所述第一凹槽的深度大于所述第二凹槽和第三凹槽的深度；

所述凹下部內沿發光方向依次層疊設置有導熱層和擴散層，且所述導熱層鋪設在所述藍色熒光粉膠層、綠色熒光粉膠層和紅色熒光粉膠層上，將所述第一光源、第二光源和第三光源覆蓋；

所述第一光源中，藍光和紫光的峰值強度比為(0.5-1.5)：1；所述第二光源中，綠光和藍光峰值強度比大于20：1；所述第三光源中，紅光和藍光峰值強度比大于20：1；

所述基板設置有凹下部的表面和另一相對表面分別設置三個正極和一個負極，或三個負極和一個正極；且所述紫光LED芯片、第一藍光LED芯片和第二藍光LED芯片并聯連接；所述半導體發光二極管裝置采用單電源控制所述紫光LED芯片、第一藍光LED芯片和第二藍光LED芯片之間的電流進而控制所述第一光源、第二光源和第三光源的發光強度比例。

2.如權利要求1所述的半導體發光二極管裝置，其特征在于，紫光LED芯片的波長為400-430nm，且所述藍色熒光粉膠層中的藍色熒光粉峰值波長為450-470nm；和/或，

所述第一藍光LED芯片的波長為440-460nm，且所述綠色熒光粉膠層中的綠色熒光粉峰值波長為515-535nm；和/或，

所述第二藍光LED芯片的波長為440-450nm，且所述紅色熒光粉膠層中的紅色熒光粉峰值波長為650-660nm。

3.如權利要求1所述的半導體發光二極管裝置，其特征在于，在所述基板的凹下部內，所述藍色熒光粉膠層、所述綠色熒光粉膠層和所述紅色熒光粉膠層的頂面位于同一水平面；和/或，

所述藍色熒光粉膠層、所述綠色熒光粉膠層和所述紅色熒光粉膠層之間的縫隙內填充有白膠。

4.如權利要求1所述的半導體發光二極管裝置，其特征在于，所述第一凹槽的底面到所述基板設有凹下部的表面的距離為0.6-0.8mm，所述第二凹槽的底面到所述基板設有凹下部的表面的距離為0.4-0.5mm，所述第三凹槽的底面到所述基板設有凹下部的表面的0.4-0.5mm。

5.如權利要求1-4任一項所述的半導體發光二極管裝置，其特征在于，所述導熱層的材料選自環氧樹脂和硅樹脂中的至少一種。

6.如權利要求1-4任一項所述的半導體發光二極管裝置，其特征在于，所述導熱層的材料選自摻雜有石墨烯的環氧樹脂和摻雜有石墨烯的硅樹脂中的至少一種；和/或，

所述擴散層的材料選自摻雜有石墨烯的聚甲基丙烯酸甲酯。

7.如權利要求6所述的半導體發光二極管裝置，其特征在于，所述摻雜有石墨烯的環氧樹脂或摻雜有石墨烯的硅樹脂中，石墨烯的摻雜量為0.5％-1.5％；且所述摻雜有石墨烯的聚甲基丙烯酸甲酯中，石墨烯的摻雜量為0.05％-0.5％。

8.一種燈具，所述燈具為全光譜LED燈具，包括多孔道電源、LED光源和燈罩，其特征在于，所述LED光源包括權利要求1-7任一項所述的半導體發光二極管裝置。