[發(fā)明專利]發(fā)光二極管外延片及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910117966.6
• 申請(qǐng)日: 2019-02-15
• 公開（公告）號(hào): CN109950372B
• 公開（公告）日: 2020-08-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 洪威威;王倩;周飚;胡加輝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華燦光電（蘇州）有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/06
• 分類號(hào): H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00;B82Y40/00
• 代理公司: 北京三高永信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138
• 代理人: 徐立

1.一種發(fā)光二極管外延片，所述發(fā)光二極管外延片包括襯底、以及依次層疊在所述襯底上的緩沖層、未摻雜的GaN層、N型層、多量子阱層、電子阻擋層、P型層和P型接觸層，所述多量子阱層包括交替生長(zhǎng)的多個(gè)量子阱層和多個(gè)量子壘層，其特征在于，

每個(gè)所述量子阱層均包括依次層疊的第一子層、第二子層和第三子層，所述第一子層、所述第二子層和所述第三子層均為In_xGa_1-xN層，0＜x＜1，所述第一子層和所述第三子層中的In組分是所述第二子層中的In組分的25％～35％；

所述第一子層、所述第二子層和所述第三子層的厚度比為1：3：1或者1：4：1或者1：5：1或者1：6：1，所述第一子層、所述第二子層和所述第三子層的厚度比根據(jù)所述發(fā)光二極管外延片的發(fā)光波長(zhǎng)大小選取；

所述第二子層是在混合了氮?dú)夂桶睔獾臍怏w氛圍下生長(zhǎng)而成的，所述第一子層和所述第三子層是在混合了氮?dú)狻睔夂蜌錃獾臍怏w氛圍下生長(zhǎng)而成的。

2.一種發(fā)光二極管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

提供一襯底；

在所述襯底上依次生長(zhǎng)低溫緩沖層、未摻雜的GaN層、N型層、多量子阱層、電子阻擋層、P型層和P型接觸層；

其中，所述多量子阱層包括交替生長(zhǎng)的多個(gè)量子阱層和多個(gè)量子壘層，每個(gè)所述量子阱層均包括依次層疊的第一子層、第二子層和第三子層，所述第一子層、所述第二子層和所述第三子層均為In_xGa_1-xN層，0＜x＜1，所述第一子層和所述第三子層中的In組分是所述第二子層中的In組分的25％～35％，所述第一子層、所述第二子層和所述第三子層的厚度比為1：3：1或者1：4：1或者1：5：1或者1：6：1，所述第一子層、所述第二子層和所述第三子層的厚度比根據(jù)所述發(fā)光二極管外延片的發(fā)光波長(zhǎng)大小選取；

所述制造方法還包括：

在混合了氮?dú)夂桶睔獾臍怏w氛圍下，生長(zhǎng)所述第二子層；

在混合了氮?dú)狻睔夂蜌錃獾臍怏w氛圍下，生長(zhǎng)所述第一子層和所述第三子層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述第一子層的生長(zhǎng)溫度與所述第三子層的生長(zhǎng)溫度相等，所述第二子層的生長(zhǎng)溫度低于所述第一子層的生長(zhǎng)溫度。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述第二子層的生長(zhǎng)溫度比所述第一子層的生長(zhǎng)溫度低10～30℃。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，生長(zhǎng)所述第一子層和所述第三子層時(shí)，通入的所述氫氣的流量是通入的所述氮?dú)夂退霭睔獾目偭髁康?％～5％。