[發(fā)明專利]一種用于制備金屬-高分子多層復合薄膜的真空鍍膜系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910115340.1
• 申請日: 2019-02-14
• 公開（公告）號: CN109763107B
• 公開（公告）日: 2021-03-02
• 發(fā)明（設計）人: 張錫強;李歡樂;王茜;李珪;趙羽晴;余賜賢
• 申請（專利權）人: 拓米（成都）應用技術研究院有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C08J5/18;C08L83/04
• 代理公司: 成都九鼎天元知識產權代理有限公司 51214
• 代理人: 錢成岑;管高峰

1.一種用于制備金屬-高分子多層復合薄膜的真空鍍膜系統(tǒng)，其特征在于，包括：真空腔體、質量流量控制系統(tǒng)、真空抽氣系統(tǒng)和電漿電源供應器；

所述真空腔體設置有進氣管道和抽氣管道；所述真空抽氣系統(tǒng)通過抽氣管道與真空腔體內部連通；所述質量流量控制系統(tǒng)通過進氣管道與真空腔體內部連通，用于向真空腔體內部持續(xù)充入用于產生電漿的氣體，并間斷地充入反應物；

所述真空腔體內部設置有上方電極、下方電極和基材支架；所述基材支架位于上方電極和下方電極之間，用于固定基材；所述下方電極上部設置有固定金屬靶材的靶材支架；所述上方電極和下方電極均連接至電漿電源供應器，用于在電漿電源供應器的作用下與用于產生電漿的氣體反應產生電漿，使充入真空腔體內部的反應物在電漿的作用下進行高分子聚合反應，以及使金屬靶材在電漿的作用下進行金屬濺鍍，從而在基材表面交替形成高分子薄膜和金屬薄膜；所述靶材支架上設有靶材擋板，所述靶材擋板通過一連接桿與連接外部的控制閥，用于在進行高分子聚合反應時擋住金屬靶材；所述基材支架通過旋轉軸連接有一旋轉桿，并通過旋轉桿的作用進行旋轉，用于將基材旋轉至相應的反應區(qū)域。

2.如權利要求1所述的用于制備金屬-高分子多層復合薄膜的真空鍍膜系統(tǒng)，其特征在于，所述質量流量控制系統(tǒng)，包括第一質量流量控制器、第二質量流量控制器、第三質量流量控制器和第四質量流量控制器；所述第一質量流量控制器、第二質量流量控制器、第三質量流量控制器和第四質量流量控制器均通過進氣管道與真空腔體內部連通；所述第一質量流量控制器用于向真空腔體內部充入所述反應物中的四甲基雙硅氧烷；所述第二質量流量控制器用于向真空腔體內部充入所述反應物中的氧氣；所述第三質量流量控制器用于向真空腔體內部充入氮氣；所述第四質量流量控制器用于向真空腔體內部充入氬氣。

3.如權利要求2所述的用于制備金屬-高分子多層復合薄膜的真空鍍膜系統(tǒng)，其特征在于，所述質量流量控制系統(tǒng)，還包括電性連接至所述第一質量流量控制器、第二質量流量控制器、第三質量流量控制器和第四質量流量控制器的質量流量總控制器，用于調節(jié)所述第一質量流量控制器、第二質量流量控制器、第三質量流量控制器和第四質量流量控制器的流量。

4.如權利要求2所述的用于制備金屬-高分子多層復合薄膜的真空鍍膜系統(tǒng)，其特征在于，所述第一質量流量控制器為蒸汽質量流量控制器，并連接有質量流量溫度控制器，用于控制所述第一質量流量控制器的溫度。

5.如權利要求2所述的用于制備金屬-高分子多層復合薄膜的真空鍍膜系統(tǒng)，其特征在于，所述進氣管道，包括設置在真空腔體上部的第一進氣管道和設置在真空腔體下部的第二進氣管道；所述第一質量流量控制器和第二質量流量控制器通過第一進氣管道與真空腔體內部連通；所述第三質量流量控制器和第四質量流量控制器通過第二進氣管道與真空腔體內部連通。

6.如權利要求5所述的用于制備金屬-高分子多層復合薄膜的真空鍍膜系統(tǒng)，其特征在于，所述上方電極和下方電極均包括：電極主體和電極護板；所述電極主體與電極護板固定連接形成中空的電極腔體；所述電極護板具有多個進氣通孔；所述第一進氣管道與上方電極的電極腔體連通；所述第二進氣管道與下方電極的電極腔體連通。

7.如權利要求6所述的用于制備金屬-高分子多層復合薄膜的真空鍍膜系統(tǒng)，其特征在于，所述下方電極的電極腔體內呈圈狀均勻放置有永久磁鐵。

8.如權利要求1所述的用于制備金屬-高分子多層復合薄膜的真空鍍膜系統(tǒng)，其特征在于，所述真空抽氣系統(tǒng)，包括依次連通的壓力調節(jié)閥、油旋轉泵和羅茨泵；所述壓力調節(jié)閥還通過進氣管道與真空腔體內部連通。