[發(fā)明專利]顯影裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910115246.6
• 申請日: 2013-04-26
• 公開（公告）號: CN109669337B
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 秋田昌則;松本淳志
• 申請（專利權(quán)）人: 佳能株式會社
• 主分類號: G03G15/09
• 分類號: G03G15/09;G03G15/08
• 代理公司: 中國貿(mào)促會專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038
• 代理人: 羅聞

1.一種顯影裝置，其包括：

顯影套筒，其構(gòu)造成朝向顯影區(qū)域運(yùn)載和進(jìn)給包括調(diào)色劑和載體的顯影劑，形成在圖像承載構(gòu)件上的靜電潛像要在所述顯影區(qū)域處被顯影；

管控部分，其與所述顯影套筒相對設(shè)置，構(gòu)造成管控在所述顯影套筒上運(yùn)載的顯影劑量，在所述顯影裝置處于形成在圖像承載構(gòu)件上的靜電潛像要被顯影的位置的狀態(tài)下，所述管控部分處于管控位置，在所述管控位置處所述管控部分管控在所述顯影套筒上運(yùn)載的顯影劑量，并且所述管控位置在豎直方向上位于所述顯影套筒的旋轉(zhuǎn)中心上方；

磁體，其構(gòu)造成產(chǎn)生用于在所述顯影套筒上運(yùn)載顯影劑的磁場，其中所述磁體固定設(shè)置在所述顯影套筒內(nèi)部并且包括多個(gè)磁極，所述多個(gè)磁極包括第一磁極和第二磁極，第二磁極在所述顯影套筒的旋轉(zhuǎn)方向上設(shè)置在所述顯影套筒在所述第一磁極處的法向分量的磁通密度Br的峰值位置下游，并且鄰近所述第一磁極，所述多個(gè)磁極中的所述第二磁極最靠近所述管控部分；

第一室，其構(gòu)造成容納顯影劑并且將容納的顯影劑供應(yīng)到所述顯影套筒；

第二室，其構(gòu)造成容納顯影劑并且形成用于使容納的顯影劑在第二室自身與所述第一室之間循環(huán)的循環(huán)路徑；

第一進(jìn)給螺桿，其設(shè)置在所述第一室中，構(gòu)造成沿第一方向進(jìn)給容納在所述第一室中的顯影劑；

第二進(jìn)給螺桿，其設(shè)置在所述第二室中，構(gòu)造成沿與第一方向相反的第二方向進(jìn)給容納在所述第二室中的顯影劑，在所述顯影裝置處于形成在圖像承載構(gòu)件上的靜電潛像要被顯影的位置的狀態(tài)下，所述第一進(jìn)給螺桿的旋轉(zhuǎn)中心在豎直方向上位于所述第二進(jìn)給螺桿的旋轉(zhuǎn)中心上方；以及

分隔壁，其構(gòu)造成將所述第一室和所述第二室分隔，

其特征在于，

所述顯影裝置包括設(shè)置在所述分隔壁上的引導(dǎo)表面，該引導(dǎo)表面構(gòu)造成將容納在所述第一室中的顯影劑從所述第一室朝向所述顯影套筒供應(yīng)，在所述顯影裝置處于形成在圖像承載構(gòu)件上的靜電潛像要被顯影的位置的狀態(tài)下，所述引導(dǎo)表面在豎直方向上從上方朝向所述顯影套筒供應(yīng)容納在所述第一室中的顯影劑，

其中在所述顯影套筒的旋轉(zhuǎn)方向上，所述引導(dǎo)表面最靠近所述顯影套筒的最靠近位置位于所述管控部分的管控位置的上游2mm以上，

其中在所述顯影套筒的外周表面的在所述顯影套筒的旋轉(zhuǎn)方向上的整個(gè)區(qū)域中，

當(dāng)在所述引導(dǎo)表面的最靠近位置的下游并且在所述管控部分的管控位置的上游的一側(cè)上，所述顯影套筒的法向分量的磁力Fr的絕對值的積分值是FrAll時(shí)，并且

當(dāng)在所述管控部分的管控位置的上游2mm位置的下游并且在所述管控部分的管控位置的上游的一側(cè)上是FrNear時(shí)，

FrNear與FrAll的比為60％以上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯影裝置，其中，在所述顯影套筒的外周表面的在所述顯影套筒的旋轉(zhuǎn)方向上的整個(gè)區(qū)域中，在所述引導(dǎo)表面的最靠近位置的下游并且在所述管控部分的管控位置的上游的一側(cè)上，所述顯影套筒的法向分量的磁力Fr的絕對值從所述引導(dǎo)表面的最靠近位置朝向所述管控部分的管控位置單調(diào)地增加。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯影裝置，其中，在所述顯影套筒的外周表面的在所述顯影套筒的旋轉(zhuǎn)方向上的整個(gè)區(qū)域中，在所述引導(dǎo)表面的最靠近位置的下游并且在所述管控部分的管控位置的上游的一側(cè)上，所述顯影套筒的法向分量的磁力Fr的絕對值在所述管控部分的管控位置處最大。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯影裝置，其中，在所述顯影套筒的旋轉(zhuǎn)方向上，所述顯影套筒在所述第二磁極處的法向分量的磁通密度Br的峰值位置位于所述管控部分的管控位置的下游以及所述顯影區(qū)域的上游。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯影裝置，其中，在所述顯影套筒的旋轉(zhuǎn)方向上，所述顯影套筒在所述第二磁極處的法向分量的磁通密度Br的峰值位置位于所述引導(dǎo)表面的最靠近位置的下游以及所述管控部分的管控位置的上游。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯影裝置，其中，所述顯影套筒在所述第二磁極處的法向分量的磁通密度Br為20mT以上且80mT以下。