[發(fā)明專利]一種低熱阻的大功率整流元器件及其制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910113902.9
• 申請(qǐng)日: 2019-02-14
• 公開（公告）號(hào): CN109686726A
• 公開（公告）日: 2019-04-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李杰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州旭芯翔智能設(shè)備有限公司
• 主分類號(hào): H01L25/07
• 分類號(hào): H01L25/07;H01L23/367;H01L21/50
• 代理公司: 蘇州慧通知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32239
• 代理人: 丁秀華

1.一種低熱阻大功率的整流元器件，其特征在于：其包括塑封體(5)以及注塑在所述塑封體(5)內(nèi)的負(fù)極金屬片(1)和正極金屬片(2)，所述負(fù)極金屬片(1)和正極金屬片(2)的底部均外露于所述塑封體(5)外，所述負(fù)極金屬片(1)上設(shè)置有第一整流芯片(31)和第二整流芯片(32)，所述第一整流芯片(31)和第二整流芯片(32)的正極與所述負(fù)極金屬片(1)相連接，所述正極金屬片(2)上設(shè)置有第三整流芯片(33)和第四整流芯片(34)，所述第三整流芯片(33)和第四整流芯片(34)的負(fù)極與所述正極金屬片(2)相連接。

2.按照權(quán)利要求1所述低熱阻大功率的整流元器件，其特征在于：所述塑封體(5)內(nèi)還注塑有第一交流極金屬片(35)，所述第一整流芯片(31)和第三整流芯片(33)上安裝有第一跳片(36)，所述第一整流芯片(31)和第三整流芯片(33)通過所述第一跳片(36)與所述第一交流極金屬片(35)相連接。

3.按照權(quán)利要求2所述低熱阻大功率的整流元器件，其特征在于：所述第一整流芯片(31)和負(fù)極金屬片(1)之間設(shè)置有第一銅片(38)，所述第三整流芯片(33)和第一跳片(36)之間設(shè)置有第二銅片(39)。

4.按照權(quán)利要求3所述低熱阻大功率的整流元器件，其特征在于：所述第一整流芯片(31)的負(fù)極與所述第一跳片(36)相連接，所述第二銅片(39)與所述第一跳片(36)相連接。

5.按照權(quán)利要求1所述低熱阻大功率的整流元器件，其特征在于：所述塑封體(5)內(nèi)還注塑有第二交流極金屬片(42)，所述第二整流芯片(32)和第四整流芯片(34)上安裝有第二跳片(37)，所述第二整流芯片(32)和第四整流芯片(34)通過所述第二跳片(37)與所述第二交流極金屬片(42)相連接。

6.按照權(quán)利要求5所述低熱阻大功率的整流元器件，其特征在于：所述第二整流芯片(32)和負(fù)極金屬片(1)之間設(shè)置有第三銅片(40)，所述第四整流芯片(34)和第二跳片(37)之間設(shè)置有第四銅片(41)。

7.按照權(quán)利要求6所述低熱阻大功率的整流元器件，其特征在于：所述第二整流芯片(32)的負(fù)極與所述第二跳片(37)相連接，所述第四銅片(41)與所述第二跳片(37)相連接。

8.一種如權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的低熱阻大功率的整流元器件的制造方法，其特征在于：提供第一跳片(36)、第二跳片(37)、第一銅片(38)、第二銅片(39)、第三銅片(40)、第四銅片(41)、第一交流極金屬片(35)以及第二交流極金屬片(42)，所述制造方法包括以下步驟：

步驟1：分別將第一整流芯片(31)和第一銅片(38)、第二整流芯片(32)和第三銅片(40)、第三整流芯片(33)和第二銅片(39)以及第四整流芯片(34)和第四銅片(41)焊接在一起；

步驟2：將錫膏涂在正極金屬片(2)和負(fù)極金屬片(1)上；

步驟3：將焊接后的第一銅片(38)和第三銅片(40)放置到負(fù)極金屬片(1)涂有錫膏的位置，將焊接后的第三整流芯片(33)和第四整流芯片(34)的負(fù)極放置到正極金屬片(2)涂有錫膏的位置。

步驟4：將錫膏涂在第一整流芯片(31)和第二整流芯片(32)的負(fù)極、第二銅片(39)以及第三銅片(40)上。

步驟5：放置第一跳片(36)和第二跳片(37)，將第一整流芯片(31)和第三整流芯片(33)通過第一跳片(36)與第一交流極金屬片(35)相連；將第二整流芯片(32)和第四整流芯片(34)通過第二跳片(37)與第二交流極金屬片(42)相連。

步驟6：將組合后的器件進(jìn)行塑封成型。