[發明專利]一種扇出型封裝方法

有效

• 申請號: 201910113228.4
• 申請日: 2019-02-14
• 公開（公告）號: CN109860065B
• 公開（公告）日: 2023-03-21
• 發明（設計）人: 王耀塵;白祐齊;石磊;夏鑫
• 申請（專利權）人: 南通通富微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L21/60;H01L21/683;H01L23/31;H01L25/18
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 李慶波

本申請公開了一種扇出型封裝方法，所述封裝方法包括：提供載盤，所述載盤包括相背設置的第一側和第二側；將至少一個芯片的背面固定在所述載盤的所述第一側上，其中，所述芯片設置有正面及所述背面，所述正面設置有焊盤，且對應所述焊盤的位置設置有光阻；在所述載盤的所述第一側上形成塑封層，所述塑封層覆蓋所述芯片及所述光阻。通過上述方式，本申請能夠增強對芯片正面的保護。

技術領域

本申請涉及半導體封裝技術領域，特別是涉及一種扇出型封裝方法。

背景技術

扇出型封裝由于具有小型化、低成本和高集成度等優點，正迅速成為新型半導體封裝技術中的熱點。

現有的扇出型封裝通常是將芯片的背面嵌入塑封層中，然后在芯片的正面形成介電層和重布線層，重布線層與芯片的正面的焊盤之間電連接。

本申請的發明人在長期研究過程中發現，現有的扇出型封裝器件在芯片的四周側面和背面均有塑封料保護，但在芯片的正面僅有介電層保護，當其受到應力的沖擊時容易造成芯片的正面線路受損，進而導致功能失效，降低芯片的良率，影響產品的品質。

發明內容

本申請主要解決的技術問題是提供一種扇出型封裝方法，能夠增強對芯片正面的保護。

為解決上述技術問題，本申請采用的一個技術方案是：提供一種扇出型封裝方法，其中，所述封裝方法包括：提供載盤，所述載盤包括相背設置的第一側和第二側；將至少一個芯片的背面固定在所述載盤的所述第一側上，其中，所述芯片設置有正面及所述背面，所述正面設置有焊盤，且對應所述焊盤的位置設置有光阻；在所述載盤的所述第一側上形成塑封層，所述塑封層覆蓋所述芯片及所述光阻。

其中，所述在將至少一個芯片的背面固定在所述載盤的所述第一側上之前，所述封裝方法還包括：提供至少一個圓片，所述圓片設有正面及背面，所述圓片設有若干矩陣排列的芯片，所述芯片之間設有劃片槽；所述芯片的正面即所述圓片的正面，所述芯片的背面即所述圓片的背面；在所述芯片的所述焊盤上形成所述光阻；研磨所述圓片的所述背面，以使得所述圓片的厚度小于等于閾值；對所述圓片的所述劃片槽進行切割，以獲得單顆所述芯片。

其中，所述圓片包括第一圓片和第二圓片，所述對所述圓片的所述劃片槽進行切割包括：對所述第一圓片切割獲得第一芯片，對所述第二圓片切割獲得第二芯片；所述將至少一個芯片的背面固定在所述載盤的所述第一側上，包括：將至少一個所述第一芯片的背面和至少一個所述第二芯片的背面固定在所述載盤的所述第一側上。

其中，，所述封裝方法還包括：研磨所述塑封層背對所述芯片的表面，以使得所述光阻露出。

其中，所述研磨所述塑封層背對所述芯片的表面，以使得所述光阻露出，之后，所述封裝方法還包括：去除所述光阻；在所述芯片的所述正面形成圖案化的金屬再布線層，其中，所述金屬再布線層與所述焊盤電連接，所述金屬再布線層遠離所述芯片的一側在同一水平面上。

其中，所述在所述芯片的所述正面形成金屬再布線層之前，所述封裝方法還包括：在所述塑封層遠離所述芯片一側形成第一介電層，且所述第一介電層對應所述焊盤的位置設置有第一開口；所述在所述芯片的所述正面形成金屬再布線層，包括：在所述第一介電層上形成金屬再布線層。

其中，所述在所述第一介電層上形成金屬再布線層之后，所述封裝方法還包括：在所述金屬再布線層上形成第二介電層，且所述第二介電層上設置有第二開口；在所述第二開口內植焊球，所述焊球、所述金屬再布線層電連接。

其中，所述研磨所述塑封層遠離所述芯片的表面之前，所述封裝方法還包括：去除所述載盤。

其中，所述去除所述載盤之后，所述封裝方法還包括：在所述芯片的背面設置保護膜。