[發(fā)明專利]發(fā)光元件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910112694.0
• 申請日: 2015-02-13
• 公開（公告）號: CN109817774A
• 公開（公告）日: 2019-05-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王振奎;周明勇;陳柏成;游宗達
• 申請（專利權(quán)）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/22;H01L33/32;H01L33/38;H01L33/40;H01L33/62
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

本發(fā)明公開一種發(fā)光元件，其包含：一發(fā)光疊層；以及一位于發(fā)光疊層上的電極，電極包含一主要材料以及一不同于主要材料的接觸材料，接觸材料能夠與半導體材料形成歐姆接觸；其中接觸材料分布于發(fā)光元件的一部分且在電極處具有一最大濃度。

本發(fā)明是中國發(fā)明專利申請(申請?zhí)枺?01510078160.2，申請日：2015年02月13日，發(fā)明名稱：發(fā)光元件)的分案申請。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種發(fā)光元件，尤其是涉及一種具有較佳附著力的電極的發(fā)光元件。

背景技術(shù)

發(fā)光二極管為省電以及高效率的光源。根據(jù)不同波長的發(fā)射光，發(fā)光二極管可以應用至照明、顯示器的背光以及交通信號燈等。由于發(fā)光二極管的應用范圍廣泛，對于發(fā)光二極管的性價比以及每區(qū)域單位的亮度的要求也越來越高。

現(xiàn)有的發(fā)光二極管包含基板、位于基板上的發(fā)光疊層、位于發(fā)光疊層上以及與發(fā)光疊層電連接的第一電極、以及位于基板的相對于第一電極的一表面上的第二電極，且第二電極電連接發(fā)光疊層。第一電極包含有一接近發(fā)光疊層的第一層以及一位于第一層上的第二層，其中第二層包含一包含鈦或鉻的黏著層，黏著層可增加第一層和第二層之間的黏著力。然而，由于環(huán)境中的濕氣，鈦或鉻容易氧化而形成金屬氧化物，導致黏著層的劣化，使第一層與第二層之間容易剝離。

上述的發(fā)光二極管還可進一步地與次載體(sub-mount)組合連接以形成發(fā)光裝置(lighting device)。發(fā)光裝置包含具有電路的次載體；焊料(solder)位于上述次載體上，通過此焊料將上述發(fā)光二極管黏結(jié)固定于次載體上并使二極管的基板與次載體上的電路形成電連接；以及，一電連接結(jié)構(gòu)，以電連接二極管的電極與次載體上的電路；其中，上述的次載體可以是導線架(lead frame)或大尺寸鑲嵌基底(mounting substrate)，以方便發(fā)光裝置的電路規(guī)劃并提高其散熱效果。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種發(fā)光元件，其包含：一發(fā)光疊層；以及一位于發(fā)光疊層上的電極，電極包含一主要材料以及一不同于主要材料的接觸材料，接觸材料能夠與半導體材料形成歐姆接觸；其中接觸材料分布于發(fā)光元件的一部分且在電極處具有一最大濃度。

本發(fā)明提供一種制造發(fā)光元件的方法，其包括步驟：提供一發(fā)光疊層；在發(fā)光疊層之上形成一第一層，其中第一層包含一第一合金子層；以及于第一層上形成一第二層，其中第二層包含一第二合金子層；其中第一合金子層以及第二合金子層都包含一能夠與半導體材料形成歐姆接觸的接觸材料，且第二層的厚度大于第一層的厚度。

底下通過具體實施例配合所附的附圖詳加說明，當更容易了解本發(fā)明的目的、技術(shù)內(nèi)容、特點及其所達成的功效。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的其中一實施例的發(fā)光元件的俯視圖；

圖2為圖1的發(fā)光元件沿著A-A’線的剖視圖；

圖3至圖8為本發(fā)明的其中一實施例的制造流程結(jié)構(gòu)的剖視圖；

圖9為圖8中區(qū)域I以掃描電子顯微鏡(scanning electron microscope，SEM)放大的影像圖；

圖10為本發(fā)明的其中一實施例的發(fā)光元件的第一金屬子層、第二金屬子層以及第一層的第一合金子層的穿透式電子顯微鏡(transmission electron microscopy，TEM)影像圖；

圖11為本發(fā)明的其中一實施例的發(fā)光元件的第一層的穿透式電子顯微鏡影像圖；

圖12為本發(fā)明的其中一實施例的發(fā)光元件的第一層的穿透式電子顯微鏡影像圖；

圖13為元素的強度與電極以及部分窗戶層的深度的關(guān)系圖；以及

圖14為圖13中1000納米至6000納米之間的區(qū)域放大圖。