[發明專利]像素電極

在審

• 申請號: 201910111193.0
• 申請日: 2019-02-12
• 公開（公告）號: CN109683406A
• 公開（公告）日: 2019-04-26
• 發明（設計）人: 曹武
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

一種像素電極，包括第一像素電極和多個第二像素電極，所述第二像素電極包括第一子支部和第二子支部，所述第二子支部的一端與所述第一像素電極連接，相對的另一端與所述第一子支部連接，所第一子支部的第一寬度與所述第二子支部的第二寬度不相同。通過在像素電極的主干部與支部的交界處改變支部的寬度，可以有效控制暗紋，提高液晶效率和液晶顯示面板的穿透率。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種像素電極。

背景技術

液晶顯示面板的穿透率主要受到三個物理因子的影響，分別為穿透區膜層的總吸收透射率、絕對開口率、以及液晶效率。產品技術精進時，如何在不改變膜層吸收和開口區大小的前提下，利用像素電極圖案的設計來提高液晶效率成為提升穿透率的重要途徑。一般像素電極包括主干部和分支結構，如圖1所示，主干部包括具有“十”字形狀的中心主干部11和位于中心主干部11外圍的側向主干部13、以及像素電極分支12，像素電極通電后能夠產生傾斜的電場，從而誘導不同區域內的液晶分子倒向不同的方向。

如圖2所示，圖2為現有技術中的中心主干部11(或側主干部13)與像素電極分支12的部分結構放大示意圖，像素電極分支12的圖案寬度為L，相鄰兩個像素電極分支12的間隙為S，兩者之和為P，一般而言，P越小，顯示面板的穿透率越佳，當P值達到臨界工藝極限，穿透率提升的效果不明顯，而對于固定的P值不變時，L與S的比值關系很微妙，從理論上看，L越大，給予的垂直電場越強，傾角改善越明顯，穿透率越高，但是從模擬結果看，由于主干部與像素電極分支12的邊界處受復雜電場影響，邊界處不遵從此規律，在主干部與像素電極分支12的邊界區域內，容易惡化暗紋，影響穿透率。

發明內容

本發明提供一種像素電極，以解決現有的像素電極由于主干部和分支的邊界處受到復雜電場的影響而惡化暗紋，影響液晶效率，進而影響液晶顯示面板的穿透率的問題。

為解決上述問題，本發明提供的技術方案如下：

本發明提供一種像素電極，包括第一像素電極和多個第二像素電極；所述第二像素電極支部包括一個第一子支部和至少一個第二子支部，所述第一子支部包括第一側邊，所述第二子支部包括第二側邊，所述第二子支部的一端與所述第一子支部連接，相對的另一端與所述第一像素電極連接，其中，所述第一子支部的第一寬度與所述第二子支部的第二寬度不相同。

在本發明的至少一種實施例中，所述第二子支部為軸對稱圖形或中心對稱圖形。

在本發明的至少一種實施例中，所述第一子支部的第一寬度小于所述第二子支部的第二寬度。

在本發明的至少一種實施例中，所述第二子支部為等腰梯形，沿著所述第二子支部的對稱軸靠近所述第一像素電極的方向，所述第二子支部的寬度逐漸增大。

在本發明的至少一種實施例中，所述第二子支部為平行四邊形，所述第二子支部的第二側邊與所述第一子支部的第二側邊重合。

在本發明的至少一種實施例中，所述第一子支部的第一寬度大于所述第二子支部的第二寬度。

在本發明的至少一種實施例中，所述第二子支部為等腰梯形，沿著所述第二子支部的對稱軸靠近所述第一像素電極的方向，所述第二子支部的寬度逐漸減小。

在本發明的至少一種實施例中，所述第二子支部為平行四邊形，所述第二子支部的第二側邊與所述第一子支部的第一側邊平行。

在本發明的至少一種實施例中，所述第一像素電極將一個子像素區域分成多個籌，多個間隔平行設置的所述第二像素電極位于每一個籌內。

在本發明的至少一種實施例中，一個籌內的相鄰兩個所述第一子支部的第一側邊之間的垂直距離為6～4.5微米。

在本發明的至少一種實施例中，所述第一像素電極將一個子像素區域分成四個籌。