[發(fā)明專利]免退火、免反溶劑的鈣鈦礦光伏器件及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910110219.X | 申請(qǐng)日: | 2019-02-11 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109817811B | 公開(公告)日: | 2021-02-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 宋群梁;王剛 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 西南大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01L51/42 | 分類號(hào): | H01L51/42;H01L51/48 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 周建軍 |
| 地址: | 400715*** | 國省代碼: | 重慶;50 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 退火 溶劑 鈣鈦礦光伏 器件 及其 制備 方法 | ||
1.一種免退火、免反溶劑的鈣鈦礦光伏器件制備方法,其特征在于:所述鈣鈦礦光伏器件結(jié)構(gòu)為p-i-n型,所述p-i-n型器件包括透明電極(1),所述透明電極(1)上依次設(shè)有空穴傳輸層(2)、鈣鈦礦吸光層(3)、電子傳輸層(4)、界面修飾層(5)、導(dǎo)電電極(6);所述空穴傳輸層(2)選自PEDOT:PSS、PTAA、NiOx、CuI、Spiro-OMeTAD中的至少一種,所述電子傳輸層(4)選自PC61BM、C60、ZnO、TiO2、SnO2中的至少一種;
所述界面修飾層(5)選自BCP、LiF、Cs2CO3、TPBI中的至少一種,所述界面修飾層(5)的厚度為30~120nm;將所述界面修飾層(5)的材料溶解在無水乙醇中,形成濃度為0.5~1mg/ml的溶液,再旋涂在制備好的電子傳輸層(4)上,制備得到所述界面修飾層(5),所述界面修飾層材料旋涂條件為轉(zhuǎn)速2000~4000rpm,時(shí)間30s;
所述鈣鈦礦吸光層(3)的制備方法為:
將PbI2、PbCl2、CH3NH3I按照摩爾比1.26:0.14:1.4溶解在溶劑2-甲氧基乙醇中,配置成鈣鈦礦前驅(qū)體溶液,將鈣鈦礦前驅(qū)體溶液直接旋涂在空穴傳輸層(2)上制成鈣鈦礦吸光層(3)CH3NH3PbI3(Cl),旋涂條件為轉(zhuǎn)速8000rpm,時(shí)間30s。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦光伏器件制備方法,其特征在于:所述透明電極(1)選自導(dǎo)電玻璃FTO、ITO、AZO、柔性PET、導(dǎo)電聚合物中的至少一種;
和/或,所述導(dǎo)電電極(6)選自金屬導(dǎo)電材料,所述導(dǎo)電電極(6)選自金、銀、鋁、銅中的至少一種;
和/或,所述導(dǎo)電電極(6)的厚度為80~120nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦光伏器件制備方法,其特征在于:所述空穴傳輸層(2)、鈣鈦礦吸光層(3)、電子傳輸層(4)的制備方法選自旋涂、噴涂、打印、印刷、刮涂中的至少一種;
和/或,所述導(dǎo)電電極(6)的制備方法選自熱蒸發(fā)、磁控濺射、印刷中的至少一種;
和/或,所述空穴傳輸層(2)的旋涂條件為轉(zhuǎn)速4000~8000rpm,時(shí)間40s;
和/或,所述空穴傳輸層(2)旋涂結(jié)束后,100-150℃烘烤30min。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦光伏器件制備方法,其特征在于:所述電子傳輸層(4)的原料選自PC61BM,所述電子傳輸層(4)的原料PC61BM溶解在溶劑中,濃度為15~20mg/ml,旋涂在所述鈣鈦礦吸光層上,所述溶劑選自氯苯;
和/或,所述界面修飾層(5)的材料選自BCP;
和/或,所述鈣鈦礦光伏器件選自太陽能電池、發(fā)光二極管、電致變色器組成的光伏器件組中的至少一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所述的方法制得的鈣鈦礦光伏器件。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
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H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
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