[發明專利]三維可編程存儲器制備方法

在審

• 申請號: 201910109123.1
• 申請日: 2019-02-03
• 公開（公告）號: CN109887923A
• 公開（公告）日: 2019-06-14
• 發明（設計）人: 彭澤忠
• 申請（專利權）人: 成都皮兆永存科技有限公司
• 主分類號: H01L27/11578
• 分類號: H01L27/11578
• 代理公司: 成都惠迪專利事務所(普通合伙) 51215
• 代理人: 劉勛

1.三維可編程存儲器制備方法，包括：

1)形成具有層疊結構的基礎結構體的步驟；

2)在基礎結構體上，沿層疊方向開設深孔的步驟；

3)在深孔內壁沉積中間介質層，并在內壁帶有中間介質層的深孔內填充導電介質的步驟；

其特征在于，所述步驟3)包括：

3.1)在深孔內壁沉積中間介質層；

3.2)在內壁帶有中間介質層的深孔內填充導電介質，形成內部導電介質層；

3.3)在選定的深孔內的內部導電介質層和選定的深孔外的連接導體之間施加擊穿電壓，以擊穿內部導電介質層和深孔外的連接導體之間的中間介質層，使內部導電介質層和深孔外的連接導體之間形成導電連接。

2.如權利要求1所述的三維可編程存儲器制備方法，其特征在于，所述中間介質層包括絕緣介質層。

3.如權利要求1所述的三維可編程存儲器制備方法，其特征在于，所述連接導體位于深孔底部。

4.如權利要求1所述的三維可編程存儲器制備方法，其特征在于，在步驟1)之后，還包括：在基礎結構體上形成指叉結構的步驟。