[發明專利]碳化硅單晶生長裝置及碳化硅單晶制備設備在審
| 申請號： | 201910108176.1 | 申請日： | 2019-02-02 |
| 公開（公告）號： | CN109576792A | 公開（公告）日： | 2019-04-05 |
| 發明（設計）人： | 陳澤斌;張潔;廖弘基;陳華榮 | 申請（專利權）人： | 福建北電新材料科技有限公司 |
| 主分類號： | C30B29/36 | 分類號： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京超成律師事務所 11646 | 代理人： | 欒波 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 碳化硅單晶 坩堝體 上側壁 生長裝置 下側壁 坩堝蓋 制備設備 坩堝 密閉空間 底壁 晶體生長領域 坩堝整體 安裝蓋 生長 蓋合 制備 受傷 | ||
1.一種用于碳化硅單晶生長裝置，其特征在于，包括坩堝，所述坩堝包括主要由底壁和下側壁組成的坩堝體，以及上側壁和坩堝蓋；所述上側壁安裝在所述下側壁上，所述坩堝蓋用于蓋合在所述上側壁上；所述坩堝體、上側壁和坩堝蓋形成用于生長碳化硅單晶的密閉空間；或者
所述坩堝包括主要由底壁和下側壁組成的下坩堝體，以及主要由上側壁和坩堝蓋形成的上坩堝體；所述上坩堝體的上側壁安裝蓋合在所述下坩堝體的下側壁上，以使所述上坩堝體和下坩堝體形成用于生長碳化硅單晶的密閉空間。
2.根據權利要求1所述的碳化硅單晶生長裝置，其特征在于，所述上側壁與下側壁的相接面為斜面，且自坩堝的內向外方向向下傾斜。
3.根據權利要求1或2所述的碳化硅單晶生長裝置，其特征在于，所述上側壁的高度與下側壁的高度的比值范圍在1：2.5-1：5。
4.根據權利要求3所述的碳化硅單晶生長裝置，其特征在于，所述上側壁的高度與下側壁的高度的比值為1：3。
5.根據權利要求1或2所述的碳化硅單晶生長裝置，其特征在于，所述碳化硅單晶生長裝置還包括生長基座和緩沖機構；
所述坩堝底部設置有容置空間，所述容置空間內用于放置碳化硅粉料；
所述生長基座設置在所述坩堝的頂部，用于在所述生長基座上生長碳化硅單晶；
所述緩沖機構設置在所述坩堝內，位于所述容置空間與生長基座之間的位置處；且所述緩沖機構上具有氣體通道，以使生長氣氛能經所述氣體通道到達所述坩堝頂部的生長基座處。
6.根據權利要求5所述的碳化硅單晶生長裝置，其特征在于，所述緩沖機構與所述上側壁的下端，以及下側壁的上端相接，以將所述上側壁和下側壁的接縫處遮擋。
7.根據權利要求5所述的碳化硅單晶生長裝置，其特征在于，所述碳化硅單晶生長裝置還包括導流機構，所述導流機構設置在所述坩堝內，且位于所述緩沖機構與所述生長基座之間，用于將碳化硅粉料升華產生的氣體引導向到所述生長基座方向。
8.根據權利要求7所述的碳化硅單晶生長裝置，其特征在于，所述導流機構與所述上側壁的下端，以及下側壁的上端相接，以將所述上側壁和下側壁的接縫處遮擋。
9.一種碳化硅單晶制備設備，其特征在于，包括權利要求1-8任意一項所述的碳化硅單晶生長裝置。
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