[發明專利]功率模塊以及電力變換裝置

有效

• 申請號: 201910107599.1
• 申請日: 2019-02-02
• 公開（公告）號: CN110137140B
• 公開（公告）日: 2023-09-26
• 發明（設計）人: 中原賢太;山口義弘;河原史倫
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L23/13
• 分類號: H01L23/13;H01L23/31;H01L23/367;H01L23/373
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張天舒

1.一種功率模塊，其具備：

凹狀的基座板，其具有谷部；

至少1個絕緣基板，其配置于所述基座板的所述谷部；

至少1個半導體芯片，其搭載于至少1個所述絕緣基板之上；以及

封裝樹脂，其對所述基座板的所述谷部側的面、至少1個所述絕緣基板以及至少1個所述半導體芯片進行封裝，

所述基座板的所述谷部具有底面和側面，

所述谷部的所述側面整體是上端側向外周側傾斜的錐形狀。

2.根據權利要求1所述的功率模塊，其中，

所述基座板的所述谷部的深度大于或等于至少1個所述絕緣基板的厚度的一半、且大于或等于所述基座板的厚度的1/4。

3.根據權利要求1或2所述的功率模塊，其中，具有：

槽，其是遍及所述基座板的將所述絕緣基板的側方包圍的外周部整體而形成的。

4.根據權利要求1或2所述的功率模塊，其中，

至少1個所述絕緣基板具有多個所述絕緣基板，

至少1個所述半導體芯片具有多個所述半導體芯片，

多個所述半導體芯片分別搭載于多個所述絕緣基板之上，

所述功率模塊還具有在相鄰的各所述絕緣基板之間配置的壁部，

所述壁部的上端的高度位置與各所述絕緣基板的上端的高度位置相同或者比各所述絕緣基板的上端的高度位置低。

5.根據權利要求1或2所述的功率模塊，其中，

所述基座板的材質是銅。

6.根據權利要求1或2所述的功率模塊，其中，

所述封裝樹脂的線膨脹系數為大于或等于13×10^-6/℃。

7.一種電力變換裝置，其具備：

主變換電路，其具有權利要求1至6中任一項所述的功率模塊，該主變換電路對被輸入來的電力進行變換而輸出；以及

控制電路，其將對所述主變換電路進行控制的控制信號向所述主變換電路輸出。