[發明專利]半導體器件

在審

• 申請號: 201910104546.4
• 申請日: 2019-02-01
• 公開（公告）號: CN110137089A
• 公開（公告）日: 2019-08-16
• 發明（設計）人: 漢斯-馬丁·里特;弗蘭克·布爾邁斯特
• 申請（專利權）人: 安世有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L21/331;H01L21/329;H01L23/367;H01L23/373;H01L29/732;H01L29/861
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 張娜;李榮勝

1.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：

提供具有第一主表面和相對的第二主表面的第一半導體襯底，所述第一主表面上形成有第一金屬層；

提供具有第一主表面和相對的第二主表面的第二半導體襯底，其中所述第二半導體襯底包括形成在其中的多個有源器件區域和第二金屬層，所述第二金屬層形成在第一主表面上、連接所述多個有源器件區域中的每一個；

將所述第一半導體襯底的所述第一金屬層接合到所述第二半導體襯底的所述第二金屬層；以及

在所述第二半導體襯底的第二主表面上形成器件接觸件以用于電連接至所述多個有源器件區域中的每一個。

2.根據權利要求1所述的方法，包括將所述第一半導體襯底的所述第一金屬層接合到所述第二半導體襯底的所述第二金屬層，以形成設置在兩個半導體層之間的金屬層。

3.根據權利要求1或2所述的方法，包括使用金接合層或鋁接合層將所述第一半導體襯底的所述第一金屬層接合到所述第二半導體襯底的所述第二金屬層。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的方法，包括在將所述第一金屬層接合到所述第二金屬層之前，使所述第二半導體襯底的相對的第二主表面變薄。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的方法，包括形成從所述第二半導體襯底的所述第一主表面延伸到相對的第二主表面的一個或多個溝槽區域。

6.根據權利要求5所述的方法，還包括用絕緣材料填充所述溝槽區域。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的方法，其中，所述第二半導體襯底是絕緣體上硅襯底。

8.根據權利要求1至7中任一項所述的方法，其中，所述多個有源器件區域是雙向有源器件區域。

9.一種半導體器件，包括：

第一半導體襯底，其具有第一主表面和相對的第二主表面，所述第一主表面上形成有第一金屬層；以及

第二半導體襯底，其具有第一主表面和相對的第二主表面，其中所述第二半導體襯底包括形成在其中的多個有源器件區域和第二金屬層，所述第二金屬層形成在第一主表面上、連接所述多個有源器件區域中的每一個；

其中，所述第一半導體襯底的所述第一金屬層接合到所述第二半導體襯底的所述第二金屬層；器件接觸件設置在所述第二半導體襯底的第二主表面上以用于電連接至所述多個有源器件區域中的每一個。

10.根據權利要求9所述的半導體器件，其中，所述第一半導體襯底的所述第一金屬層接合到所述第二半導體襯底的所述第二金屬層，以形成設置在兩個半導體層之間的金屬層。

11.根據權利要求8或9所述的半導體器件，其中，所述第一金屬層和所述第二金屬層是金或鋁。

12.根據權利要求8至10中任一項所述的半導體器件，還包括從所述第二半導體襯底的第一主表面延伸到相對的第二主表面的一個或多個溝槽區域。

13.根據權利要求11所述的半導體器件，其中，所述溝槽區域填充有絕緣材料。

14.根據權利要求8至12中任一項所述的半導體器件，其中，所述第二半導體襯底是絕緣體上硅襯底。

15.根據權利要求8至13中任一項所述的半導體器件，其中，所述有源器件區域是雙向有源器件區域。