[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

在審

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• 申請日: 2019-01-31
• 公開（公告）號: CN111446258A
• 公開（公告）日: 2020-07-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王超鴻;林榆瑄;李岱螢
• 申請（專利權(quán)）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/11568
• 分類號: H01L27/11568
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 張宇園

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：

一存儲器陣列，包括多個存儲單元，該些存儲單元包含：

一第一存儲單元，具有一第一電阻；以及

一第二存儲單元，具有一第二電阻；

其中該第一電阻和該第二電阻都落在10⁵Ω～10⁹Ω的范圍中，且該第二電阻大于該第一電阻。

2.如權(quán)利要求1項所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該些存儲單元分別包括：

一下電極；

選擇性的一電阻層，設(shè)置在該下電極上；

一上電極，設(shè)置在選擇性的該電阻層上、或設(shè)置在該下電極上；以及

一控制裝置，電性耦接至該下電極。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中選擇性的該電阻層的材料包括選自由氧化物、氮化物、氮氧化物、電阻性多晶硅、和硅化物所組成的群組中的至少一者。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該第二存儲單元的一電阻層的一密度大于該第一存儲單元的一電阻層的一密度。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該第二存儲單元的一電阻層中的多個子電阻層的總數(shù)量大于該第一存儲單元的一電阻層中的一或多個子電阻層的總數(shù)量。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該第二存儲單元的一電阻層的一厚度大于該第一存儲單元的一電阻層的一厚度。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該第二存儲單元的一電阻層的一直徑小于該第一存儲單元的一電阻層的一直徑。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該第二存儲單元的該電阻層的該直徑為該第一存儲單元的該電阻層的該直徑的至少小三倍。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該些存儲單元更包含：

一第三存儲單元，具有一第三電阻；以及

一第四存儲單元，具有一第四電阻；

其中該第一電阻、該第二電阻、該第三電阻、和該第四電阻都落在10⁵Ω～10⁹Ω的范圍中，該第二電阻大于該第一電阻，該第三電阻大于該第二電阻，且該第四電阻大于該第三電阻。

10.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：

形成由多個存儲單元構(gòu)成的一陣列，其中該些存儲單元包含一第一存儲單元和一第二存儲單元，且形成該陣列包括：

提供一初始結(jié)構(gòu)，其中該初始結(jié)構(gòu)包括用于該第一存儲單元的一下電極和用于該第二存儲單元的一下電極；

選擇性地在用于該第一存儲單元的該下電極上形成一電阻層，使得該第一存儲單元的一第一電阻落在10⁵Ω～10⁹Ω的范圍中；以及

在用于該第二存儲單元的該下電極上形成一電阻層，使得該第二存儲單元的一第二電阻落在10⁵Ω～10⁹Ω的范圍中并大于該第一電阻。