[發明專利]一種正裝集成單元發光二極管

在審

• 申請號: 201910100384.7
• 申請日: 2019-01-31
• 公開（公告）號: CN109817781A
• 公開（公告）日: 2019-05-28
• 發明（設計）人: 閆春輝;蔣振宇
• 申請（專利權）人: 深圳第三代半導體研究院
• 主分類號: H01L33/24
• 分類號: H01L33/24;H01L33/36;H01L33/64;H01L33/46;H01L33/06
• 代理公司: 北京中知法苑知識產權代理事務所(普通合伙) 11226
• 代理人: 李明

1.一種正裝集成單元發光二極管，其特征在于，包括：

第一導電類型電極，第二導電類型電極，及位于所述第一導電類型電極和第二導電類型電極之間的二極管臺面結構，

所述二極管臺面結構包括多個二極管單元，所述多個二極管單元呈幾何形狀排列，優選所述二極管單元形狀為：三角形、正方形、長方形、五邊形、六邊形、圓形及其他任意自定義形狀。

2.一種如權利要求1所述的正裝集成單元發光二極管，其特征在于，所述二極管臺面結構的尺寸小于電流擴散的長度。

3.一種如權利要求1所述的正裝集成單元發光二極管，其特征在于，所述二極管單元的連接方式可以為：并聯，串聯，一定比例的串并聯混合。

4.一種如權利要求1-3所述的正裝集成單元發光二極管，其特征在于，所述二極管單元長度為0.1-200微米。

5.一種如權利要求1-3所述的正裝集成單元發光二極管，其特征在于，所述二極管單元數量為n個，n≥2；優選為2個-100萬個。

6.一種如權利要求1-3所述的正裝集成單元發光二極管，其特征在于，所述二極管臺面結構內，單元大小相等或不等，所述二極管單元按照均勻的排列分布或不均勻分布設置。

7.一種如權利要求1-3所述的正裝集成單元發光二極管，其特征在于，所述二極管臺面結構包括透明導電膜，其中所述導透明導電膜電由手指線結構電極引出構成。

8.一種如權利要求7所述的正裝集成單元發光二極管，其特征在于，所述手指線寬度為0.1-20微米，所述手指線厚度為0.1-10微米。

9.一種如權利要求1-3所述的正裝集成單元發光二極管，其特征在于，所述電極采用線條形金屬和/或氧化銦錫材料，優選所述線條形金屬材料為鋁、銀、鈦、鎳、金、鉑、鉻。

10.一種正裝集成單元發光二極管，其特征在于，包括：襯底，緩沖層，第一導電類型半導體層，第二導電類型電極和量子阱有源區位于所述第一導電類型半導體層上，第二導電類型半導體層位于量子阱有源區上，透明電極位于所述第二導電類型半導體層，絕緣介質層位于所述第一導電類型半導體層上并部分覆蓋所述透明電極，第一導電類型電極位于所述絕緣介質層上并部分覆蓋所述絕緣介質層上和所述透明電極，其中所述電極由手指線結構構成。

11.一種如權利要求10所述的正裝集成單元發光二極管，其特征在于，所述手指線寬度為0.1-20微米，所述手指線厚度為0.1-10微米。

12.一種如權利要求10所述的正裝集成單元發光二極管，其特征在于，所述電極采用線條形金屬和/或氧化銦錫材料，優選所述線條形金屬材料為鋁、銀、鈦、鎳、金、鉑、鉻。

13.一種如權利要求1或10所述的正裝集成單元發光二極管，其特征在于，所述正裝集成單元發光二極管構成的功率芯片尺寸面積的范圍為50＊50微米小功率芯片至100000＊100000微米的超大功率芯片。

14.一種如權利要求1或10所述的正裝集成單元發光二極管，其特征在于，所述正裝集成單元發光二極管構成的功率芯片的功率為0.01W到10W。