[發明專利]存儲系統和存儲系統的操作方法

有效

• 申請號: 201910098064.2
• 申請日: 2019-01-31
• 公開（公告）號: CN110675902B
• 公開（公告）日: 2023-03-14
• 發明（設計）人: 林敏洙
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C11/406
• 分類號: G11C11/406;G11C11/40
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理有限公司 11363
• 代理人: 許偉群;郭放

本公開涉及一種存儲系統及其操作方法。所述存儲系統可以包括：共享存儲器件，其用于儲存數據；共享管理器，其用于儲存操作策略信息，以及在響應于從主機接收到自動模式開始命令而開始的自動模式期間通過使用該操作策略信息來自主地產生第一內部命令；以及存儲器控制器，其用于響應于該第一內部命令來產生用于控制所述共享存儲器件的第二內部命令。

相關申請的交叉引用

本申請要求2018年7月3日提交的第10-2018-0077311號韓國專利申請的優先權，其公開內容通過引用整體合并于此。

技術領域

本教導的各種實施例涉及一種存儲系統和存儲系統的操作方法，更具體地，涉及一種包括控制共享存儲器件的存儲器控制器的存儲系統。

背景技術

隨機存取存儲器(RAM)廣泛用于電子設備中。

特別地，作為一種RAM的動態隨機存取存儲器(DRAM)因其高儲存密度、高速操作和低成本而被使用。

DRAM單元可以包括儲存與數據相對應的電荷的單元電容器。該單元電容器可以通過場效應晶體管(FET)而耦接到位線。所述FET的柵極可以耦接到字線WL。

在讀取該DRAM單元之前，可以將所述位線的固有電容(inherent capacitance)預充電到預定電平。為了恢復儲存在該單元電容器中的數據，可以通過向所述字線WL施加正電壓來將所述FET激活。該操作可能導致該單元電容器與所述固有電容之間的電荷共享。這種電荷共享可以根據儲存在該單元電容器中的電荷而改變已預充電的位線的電壓。

在DRAM單元中，儲存在單元電容器中的電荷量會隨時間減少。例如，當儲存在DRAM單元中的電荷量減少到位線的電壓變化不能被檢測到的點時，儲存在DRAM單元中的數據可能丟失。因此，需要頻繁地刷新DRAM單元。

最近，隨著人工智能(AI)技術的發展，已經需要大數據處理技術。由于該數據被頻繁地更新，因此其僅被使用一次而不是多次。因此，盡管為了高的數據處理性能而需要高的存儲器帶寬(memory bandwidth)，但是由于許多的數據移動可能出現存儲器帶寬瓶頸。結果，數據處理性能可能降低。

發明內容

各種實施例涉及一種存儲系統及其操作方法，所述存儲系統監測由主機管理的刷新策略并且基于監測到的信息自主地管理刷新操作。

根據實施例，一種存儲系統可以包括：共享存儲器件，被配置為儲存數據；共享管理器，被配置為儲存操作策略信息，并被配置為在響應于從主機接收到自動模式開始命令而開始的自動模式期間，通過使用所述操作策略信息來自主地產生第一內部命令；以及存儲器控制器，被配置為響應于所述第一內部命令來產生用于控制所述共享存儲器件的第二內部命令。

根據實施例，一種存儲系統可以包括共享存儲器件，被配置為儲存數據；共享管理器，被配置為儲存關于刷新操作的操作策略信息，在手動模式下根據主機的請求來產生第一內部命令，以及在自動模式下通過使用所述操作策略信息來自主地產生第一內部命令；以及存儲器控制器，被配置為響應于所述第一內部命令而產生用于執行所述共享存儲器件的所述刷新操作的第二內部命令。

根據實施例，一種操作存儲系統的方法可以包括：監測和儲存關于根據主機的請求而執行的刷新操作的操作策略信息；響應于從主機接收的針對自動模式的請求而允許存儲系統具有所有權，使得存儲系統自主地執行所述刷新操作；以及當存儲系統具有所有權時，通過使用用于所述刷新操作的操作策略信息，對共享存儲器件中包括的存儲體執行所述刷新操作。

附圖說明

圖1示出了說明根據本公開的實施例的存儲系統的圖。

圖2示出了說明圖1的存儲體的圖。

圖3示出了說明圖1的共享管理器的圖。