[發(fā)明專(zhuān)利]補(bǔ)償非易失存儲(chǔ)元件編程時(shí)電荷流失與源極線偏置的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910097767.3 | 申請(qǐng)日: | 2019-01-31 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111429961B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-03-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 杜君毅;蔡明璋;翁瑞隆 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 力晶積成電子制造股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G11C16/34 | 分類(lèi)號(hào): | G11C16/34 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 王珊珊 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)灣新竹*** | 國(guó)省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 補(bǔ)償 非易失 存儲(chǔ) 元件 編程 電荷 流失 源極線 偏置 方法 | ||
1.一種補(bǔ)償非易失性存儲(chǔ)元件在編程時(shí)電荷流失與源極線偏置的方法,包含:
以第一參考電壓讀取前次編程頁(yè)中包含的多個(gè)存儲(chǔ)單元中的每個(gè)存儲(chǔ)單元,以產(chǎn)生原前次編程態(tài),其中當(dāng)該存儲(chǔ)單元的電壓低于該第一參考電壓,則該存儲(chǔ)單元為“L”態(tài),當(dāng)該存儲(chǔ)單元的電壓高于該第一參考電壓,則該存儲(chǔ)單元為“H”態(tài);
通過(guò)合并柵將該原前次編程態(tài)與當(dāng)前編程態(tài)合并,以產(chǎn)生合并后編程態(tài),其中當(dāng)該原前次編程態(tài)中的該存儲(chǔ)單元為該“H”態(tài)則該合并柵開(kāi)啟,當(dāng)該原前次編程態(tài)中的該存儲(chǔ)單元為該“L”態(tài)則該合并柵關(guān)閉;
以第二參考電壓讀取該前次編程頁(yè)中每個(gè)存儲(chǔ)單元的電壓,以產(chǎn)生檢驗(yàn)后前次編程態(tài),其中當(dāng)該存儲(chǔ)單元的電壓低于該第二參考電壓,則該存儲(chǔ)單元為“L”態(tài),當(dāng)該存儲(chǔ)單元的電壓高于該第二參考電壓,則該存儲(chǔ)單元為“H”態(tài);以及
通過(guò)合并柵將該檢驗(yàn)后前次編程態(tài)與該合并后編程態(tài)合并,以產(chǎn)生補(bǔ)償后當(dāng)前編程態(tài),其中該第二參考電壓高于該第一參考電壓,并且其中當(dāng)該合并后編程態(tài)中的該存儲(chǔ)單元為該“H”態(tài)則該合并柵開(kāi)啟,而當(dāng)該合并后編程態(tài)中的該存儲(chǔ)單元為該“L”態(tài)則該合并柵關(guān)閉。
2.如權(quán)利要求1所述的補(bǔ)償非易失性存儲(chǔ)元件在編程時(shí)電荷流失與源極線偏置的方法,其中以該第一參考電壓來(lái)讀取該前次編程頁(yè)以產(chǎn)生該原前次編程態(tài)的步驟還包含:
將該原前次編程態(tài)存儲(chǔ)在第一節(jié)點(diǎn)。
3.如權(quán)利要求2所述的補(bǔ)償非易失性存儲(chǔ)元件在編程時(shí)電荷流失與源極線偏置的方法,其中將該原前次編程態(tài)與該當(dāng)前編程態(tài)合并以通過(guò)合并柵產(chǎn)生該合并后編程態(tài)的步驟還包含:
將該當(dāng)前編程態(tài)加載到第二節(jié)點(diǎn),其中該第二節(jié)點(diǎn)連接至合并柵的漏極,該合并柵的源極連接至第一電壓,存儲(chǔ)在該第一節(jié)點(diǎn)的該原前次編程態(tài)施加到該合并柵。
4.如權(quán)利要求3所述的補(bǔ)償非易失性存儲(chǔ)元件在編程時(shí)電荷流失與源極線偏置的方法,其中以該第二參考電壓來(lái)讀取該前次編程頁(yè)以產(chǎn)生該檢驗(yàn)后前次編程態(tài)的步驟還包含:
將該檢驗(yàn)后前次編程態(tài)存儲(chǔ)在該第二節(jié)點(diǎn)。
5.如權(quán)利要求1所述的補(bǔ)償非易失性存儲(chǔ)元件在編程時(shí)電荷流失與源極線偏置的方法,其中該第一參考電壓是用來(lái)判讀每個(gè)存儲(chǔ)單元為“H”態(tài)或者“L”態(tài),且該第二參考電壓是理想狀態(tài)下該“H”態(tài)位數(shù)分布曲線中默認(rèn)的最低分布電壓。
6.如權(quán)利要求5所述的補(bǔ)償非易失性存儲(chǔ)元件在編程時(shí)電荷流失與源極線偏置的方法,其中該第一參考電壓為0伏。
7.如權(quán)利要求5所述的補(bǔ)償非易失性存儲(chǔ)元件在編程時(shí)電荷流失與源極線偏置的方法,其中該第二參考電壓為1.8伏。
8.如權(quán)利要求5所述的補(bǔ)償非易失性存儲(chǔ)元件在編程時(shí)電荷流失與源極線偏置的方法,其中該第二參考電壓與該第一參考電壓之間的差值是判讀該存儲(chǔ)單元的編程態(tài)時(shí)默認(rèn)的判別容限。
9.如權(quán)利要求1所述的補(bǔ)償非易失性存儲(chǔ)元件在編程時(shí)電荷流失與源極線偏置的方法,還包含根據(jù)該補(bǔ)償后當(dāng)前編程態(tài)進(jìn)行當(dāng)前編程動(dòng)作。
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