[發(fā)明專利]一種石墨片表面絕緣的處理方法及石墨片在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910097513.1 | 申請(qǐng)日: | 2019-01-31 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN109694259A | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-04-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 任澤永;任澤明;熊婷 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 廣東思泉新材料股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | C04B41/00 | 分類號(hào): | C04B41/00;C04B41/80;H05K7/20 |
| 代理公司: | 廣州粵高專利商標(biāo)代理有限公司 44102 | 代理人: | 羅曉林;楊桂洋 |
| 地址: | 523000 廣東省*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 石墨片 氧化石墨烯層 表面絕緣 等離子體轟擊 等離子轟擊 表面改性 表面形成 氫氣 水蒸汽 絕緣 良率 氧氣 生產(chǎn) | ||
本發(fā)明公開(kāi)了一種石墨片表面絕緣的處理方法,包括以下步驟:將石墨片放置在PECVD設(shè)備中,輸入氧氣、氫氣或者水蒸汽,用等離子體轟擊石墨片表面,使得石墨片表面改性,在石墨片表面形成絕緣的氧化石墨烯層,對(duì)石墨片有每個(gè)表面都進(jìn)行相同的等離子轟擊,使得石墨片的每個(gè)表面都形成相同厚度的氧化石墨烯層。本發(fā)明不需要其他輔料,直接利用石墨片形成,生產(chǎn)良率高。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于石墨技術(shù)領(lǐng)域,具體地說(shuō)是一種石墨片表面絕緣的處理方法及石墨片。
背景技術(shù)
石墨導(dǎo)熱片具有優(yōu)異的導(dǎo)熱性能和導(dǎo)電性能,其對(duì)熱量的傳導(dǎo)速度非常快,具有高熱通量的特性。同時(shí),石墨導(dǎo)熱板也具有導(dǎo)電性能,因此,在應(yīng)用時(shí),為了確保絕緣性,需要對(duì)石墨導(dǎo)熱板進(jìn)行絕緣處理。
在應(yīng)用石墨導(dǎo)熱片時(shí),需要進(jìn)行絕緣處理,避免石墨導(dǎo)熱片與電子產(chǎn)品內(nèi)部的元器件發(fā)生沖突,造成短路。現(xiàn)有的對(duì)石墨導(dǎo)熱片表面進(jìn)行絕緣處理的方式,在石墨片表面粘貼單面膠,同時(shí)利用雙面膠緊貼在石墨片底面,將石墨片夾裝在內(nèi)的夾層結(jié)構(gòu)。耗費(fèi)的材料較多,造成的石墨片的表面熱阻較大,降低導(dǎo)熱效率,也提高了生產(chǎn)成本。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述的技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明提供了一種石墨片表面絕緣的處理方法及石墨片,不需要其他輔料,直接利用石墨片形成,生產(chǎn)良率高,同時(shí)保持石墨片原有的導(dǎo)熱效率。
為了解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明采取以下技術(shù)方案:
一種石墨片表面絕緣的處理方法,包括以下步驟:
將石墨片放置在PECVD設(shè)備中,輸入氧氣、氫氣或者水蒸汽,用等離子體轟擊石墨片表面,使得石墨片表面改性,在石墨片表面形成絕緣的氧化石墨烯層。
所述對(duì)石墨片有每個(gè)表面都進(jìn)行相同的等離子轟擊,使得石墨片的每個(gè)表面都形成相同厚度的氧化石墨烯層。
所述氧化石墨烯層的厚度為100-200nm。
所述石墨片為人工合成石墨片或者天然石墨片。
所述氧化石墨烯層的厚度小于石墨片的厚度的一半。
一種石墨片,根據(jù)以上處理方法處理得到,包括石墨片和在該石墨片表面生成的絕緣的氧化石墨烯層。
本發(fā)明通過(guò)對(duì)石墨片進(jìn)行等離子轟擊,不需要借助其他輔助物料來(lái)生成,使得石墨片表面改性,從而生成絕緣的氧化石墨烯層,生成良率高,節(jié)省制造成本,同時(shí)不影響石墨片的內(nèi)部結(jié)構(gòu),保證了石墨片的導(dǎo)熱效率。
附圖說(shuō)明
附圖1為本發(fā)明的石墨片的剖面結(jié)構(gòu)。
具體實(shí)施方式
為能進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征、技術(shù)手段以及所達(dá)到的具體目的、功能,下面結(jié)合附圖與具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
本發(fā)明揭示了一種石墨片表面絕緣的處理方法,如附圖1所示,包括以下步驟:
將石墨片放置在PECVD設(shè)備中,輸入氧氣、氫氣或者水蒸汽,用等離子體轟擊石墨片1表面,使得石墨片表面改性,添加官能團(tuán)-COOH,具有碳原子和氧原子,從而在石墨片1表面形成絕緣的氧化石墨烯層2。該氧化石墨烯層的生成,不需要其他輔助物料,直接利用石墨片自身通過(guò)等離子體轟擊而形成,減少材料的使用,降低成本,同時(shí)只針對(duì)石墨片表面進(jìn)行轟擊,不會(huì)影響到石墨片的內(nèi)部結(jié)構(gòu),不影響石墨片的導(dǎo)熱效率。
所述對(duì)石墨片有每個(gè)表面都進(jìn)行相同的等離子轟擊,使得石墨片的每個(gè)表面都形成相同厚度的氧化石墨烯層。氧化石墨烯層完全覆蓋著石墨片的每一個(gè)表面,確保石墨片的表面具有絕緣性,在應(yīng)用過(guò)程中不會(huì)與其他線路或者PCB板產(chǎn)生短路情況。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于廣東思泉新材料股份有限公司,未經(jīng)廣東思泉新材料股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910097513.1/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。





