[發明專利]一種碳化硅納米線及其制備方法在審
| 申請號： | 201910097440.6 | 申請日： | 2019-01-31 |
| 公開（公告）號： | CN111498851A | 公開（公告）日： | 2020-08-07 |
| 發明（設計）人： | 王洪升;欒強;韋其紅;朱保鑫;李伶;張萍萍 | 申請（專利權）人： | 山東工業陶瓷研究設計院有限公司 |
| 主分類號： | C01B32/984 | 分類號： | C01B32/984 |
| 代理公司： | 北京志霖恒遠知識產權代理事務所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 趙奕 |
| 地址： | 255000 山東省*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 碳化硅 納米 及其 制備 方法 | ||
1.一種碳化硅納米線制備方法，其特征在于，所述方法包括：
通過使硅源材料在高溫環境下升華得到硅蒸汽；
所述硅蒸汽在石墨收集器上原位生成碳化硅納米線。
2.根據權利要求1所述的碳化硅納米線制備方法，其特征在于，所述方法還包括：
所述硅源材料為硅粉或氮化硅粉。
3.根據權利要求2所述的碳化硅納米線制備方法，其特征在于，所述方法還包括：
所述高溫環境的溫度范圍為1400℃～1900℃。
4.根據權利要求3所述的碳化硅納米線制備方法，其特征在于，所述方法還包括：
若以硅粉作為硅源，則所述高溫環境的溫度范圍為1400℃～1500℃。
5.根據權利要求3所述的碳化硅納米線制備方法，其特征在于，所述方法還包括：
若以氮化硅粉作為硅源，則所述高溫環境的溫度范圍為1600℃～1700℃。
6.根據權利要求1所述的碳化硅納米線制備方法，其特征在于，所述通過使硅源材料在高溫環境下升華得到硅蒸汽還包括：
所述硅源材料的升華在真空環境中進行。
7.根據權利要求1所述的碳化硅納米線制備方法，其特征在于，所述方法還包括：
所述石墨收集器為樹枝狀或網絡狀的石墨材質的收集器。
8.根據權利要求1所述的碳化硅納米線制備方法，其特征在于，所述方法還包括：
碳化硅納米線在石墨收集器上的生長時間為30min～4h。
9.根據權利要求8所述的碳化硅納米線制備方法，其特征在于，所述方法還包括：
碳化硅納米線在石墨收集器上的生長時間為2h。
10.一種碳化硅納米線，其特征在于，所述碳化硅納米線根據權利要求1-9所述的方法制備。
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