[發(fā)明專利]一種納米復(fù)合太陽(yáng)能光譜選擇性吸收涂層及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910097288.1
• 申請(qǐng)日: 2019-01-31
• 公開（公告）號(hào): CN109724274B
• 公開（公告）日: 2020-10-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊豆;楊兵;劉琰;吳忠燁
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢大學(xué)蘇州研究院
• 主分類號(hào): F24S70/225
• 分類號(hào): F24S70/225;F24S70/30;C23C14/32;C23C14/02;C23C14/06
• 代理公司: 武漢科皓知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 42222
• 代理人: 李明婭

1.一種納米復(fù)合太陽(yáng)能光譜選擇性吸收涂層，其特征在于：由紅外高反射層、主吸收層、次吸收層、減反射層組成，所述紅外高反射層為TiN層，厚度為600～740納米；主吸收層為低氧含量的AlCrSi-O層，其氧含量為15～25％，厚度為45～55納米；次吸收層為中氧含量的AlCrSi-O層，其氧含量為30～40％，厚度為60～70納米；減反射層為高氧含量的AlCrSi-O層，其氧含量為50～65％，厚度為90～100納米。

2.如權(quán)利要求1所述的一種納米復(fù)合太陽(yáng)能光譜選擇性吸收涂層的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1、將不銹鋼基體分別在丙酮和酒精中依次進(jìn)行超聲清洗并用吹風(fēng)機(jī)吹干；

步驟2、將清洗后的基體置于陰極電弧離子鍍的腔室中，通過抽真空設(shè)備獲得真空環(huán)境，使基體旋轉(zhuǎn)；

步驟3、采用Ti靶對(duì)基體進(jìn)行離子轟擊；

步驟4、采用Ti靶沉積紅外高反射層；

步驟5、采用AlCrSi靶分別沉積主吸收層、次吸收層和減反射層，如此，獲得AlCrSi-O納米復(fù)合太陽(yáng)光譜選擇性吸收涂層。

3.如權(quán)利要求2所述的一種納米復(fù)合太陽(yáng)能光譜選擇性吸收涂層的制備方法，其特征在于：所述步驟2中的抽真空設(shè)備包括機(jī)械泵和分子泵，真空環(huán)境為7×10^-3Pa以下，基體轉(zhuǎn)速為3～5rpm。

4.如權(quán)利要求2所述的一種納米復(fù)合太陽(yáng)能光譜選擇性吸收涂層的制備方法，其特征在于：所述步驟3中的離子轟擊條件參數(shù)為：氬氣環(huán)境，壓強(qiáng)5×10-2Pa以下，偏壓-700～900V，占空比70％～80％，溫度150～300℃，轟擊時(shí)間1～5min。

5.如權(quán)利要求2所述的一種納米復(fù)合太陽(yáng)能光譜選擇性吸收涂層的制備方法，其特征在于：所述步驟4中沉積紅外高反射層的條件參數(shù)為：氮?dú)饬髁繛?70～350sccm，氬氣流量為30～50sccm，偏壓-100～200V，占空比70％～80％，工作電流80～90A，沉積時(shí)間10～20min。

6.如權(quán)利要求2所述的一種納米復(fù)合太陽(yáng)能光譜選擇性吸收涂層的制備方法，其特征在于：所述步驟5中沉積主吸收層的條件參數(shù)為：氬氣流量為70～100sccm，氧氣流量為15～25sccm，偏壓-140～160V，占空比70％～80％，工作電流60～70A，沉積時(shí)間1～3min。

7.如權(quán)利要求2所述的一種納米復(fù)合太陽(yáng)能光譜選擇性吸收涂層的制備方法，其特征在于：所述步驟5中沉積次吸收層的條件參數(shù)為：氬氣流量為70～100sccm，氧氣流量為30～40sccm，偏壓-140～160V，占空比70％～80％，工作電流60～70A，沉積時(shí)間1～3min。

8.如權(quán)利要求2所述的一種納米復(fù)合太陽(yáng)能光譜選擇性吸收涂層的制備方法，其特征在于：所述步驟5中沉積減反射層的條件參數(shù)為：氬氣流量為70～100sccm，氧氣流量為145～155sccm，偏壓-140～160V，占空比70％～80％，工作電流60～70A，沉積時(shí)間1～3min。