[發明專利]提高電荷泵驅動能力的芯片控制方法有效
| 申請號: | 201910096164.1 | 申請日: | 2019-01-31 |
| 公開(公告)號: | CN111508444B | 公開(公告)日: | 2022-12-30 |
| 發明(設計)人: | 張科;王富中;丁啟源 | 申請(專利權)人: | 格科微電子(上海)有限公司 |
| 主分類號: | G09G3/36 | 分類號: | G09G3/36;H02M3/07 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 提高 電荷 驅動 能力 芯片 控制 方法 | ||
本發明提供一種提高電荷泵驅動能力的芯片控制方法,包括:所述電荷泵包括多級升壓單元;每級升壓單元中,輸入電壓包括VIN1,VIN2,VIN3,輸出電壓VOUT=VIN1+VIN2?VIN3,飛電容的傳輸電壓為VIN1?VIN3;其中,所述輸入電壓VIN1,VIN2,VIN3是可調的,根據所需的輸出電壓VOUT配置合適的輸入電壓VIN1,VIN2,VIN3,以提高所述飛電容的傳輸電壓VIN1?VIN3,增加電荷泵驅動能力,節省芯片面積。
技術領域
本發明涉及一種提高電荷泵驅動能力的芯片控制方法。
背景技術
隨著高分辨率、全面屏等高端智能手機的日益增長, 人們對移動智能終端的顯示性能提出了越來越高的要求。因此,對手持設備的顯示驅動芯片功能和性能而言,也提出了越來越高的挑戰。
液晶顯示驅動芯片中很重要的電源管理單元電荷泵為液晶提供偏壓,對HD(高清),FHD(全高清)等高分辨率顯示而言, 屏幕TFT (薄膜晶體管)柵極驅動所需要的高/低電壓(VGH/VGL)的要求范圍,對不同的屏幕生產廠家而言,會有很大的性能要求不同。VGL電壓范圍通常是-10V~-12V左右;VGH電壓范圍通常是12V~19V左右,而最高電壓有些要求接近20V。另一方面,由于TFT的閾值電壓(VTH)會隨著溫度變化而變化,因此,低的環境溫度下,需要驅動芯片能夠輸出并提高VGH電壓來滿足VTH升高的應用需求。因此,有必要設計寬的VGH的輸出電壓范圍,以此來滿足不同的屏幕和高低溫等的應用需求。
對VGH=12~19V寬的范圍要求,在VSP/VSN的電壓為±5.5V的條件下,一般會調整VGH電壓的不同VSP倍數來實現不同電壓輸出,即在典型VGH=15V的條件下會選擇VGH=3X倍數;而在需要VGH=19V甚至更高輸出的條件下,會選擇更高倍數,比如VGH=4X倍數的輸出,以此來滿足VGH的高壓輸出要求。
圖1示出現有技術的電荷泵中升壓單元的具體結構,其中,輸入電壓包括VIN1,VIN2,VIN3,輸出電壓VOUT=VIN1+VIN2-VIN3,飛電容的傳輸電壓Cfly=VIN1-VIN3。
圖2、圖3所示的現有技術的電荷泵分別包括多個如圖1所示的升壓單元。
如圖2所示,每一級升壓單元實現2倍的升壓,經過N級后可實現2N或者2N倍數的升壓輸出。具體的,對于第一級升壓單元,當輸入電壓VIN1=VIN2=VIN,VIN3=GND時,輸出電壓VOUT=2VIN,飛電容的傳輸電壓Cfly=VIN;對于第二級升壓單元,當輸入電壓VIN1=VIN2=2VIN,VIN3=GND時,輸出電壓VOUT=4VIN,飛電容的傳輸電壓Cfly=2VIN…因此對于VGH=4X倍數的輸出需要,則需要兩級升壓單元的電荷泵結構。
然而,這種方法對帶片外電容的方案具有一定的可行性,但是,對無片外電容的應用實現上,會有很大的缺陷。例如對于VSP/VSN的電壓為±5.5V,VGH=19V的輸出,只需要一個耐壓超過12V的片外電容(通常是片外陶瓷貼片電容)即可實現2(VSP-VSN)≈4VSP電壓。然而,片上集成電容(通常為MIM電容,MOM電容,或PIP電容)的耐壓受制造工藝的局限,通常要小于片外貼片電容,無法滿足較第二級升壓單元中飛電容的耐壓要求。于是需要采用如圖3所示的,多個片上電容(比如MIM電容)且采用不同的級聯方式,才能實現高倍數的切換輸出,以滿足19V的應用要求。
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