[發明專利]深紫外LED制備方法在審
| 申請號： | 201910093849.0 | 申請日： | 2019-02-02 |
| 公開（公告）號： | CN109860355A | 公開（公告）日： | 2019-06-07 |
| 發明（設計）人： | 華斌;何偉 | 申請（專利權）人： | 蘇州漢驊半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/06 | 分類號： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 215000 江蘇省蘇州市工業園區*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 量子阱層 深紫外LED 制備 緩沖層 掩膜層 襯底 出光方向垂直 納米柱陣列 垂直分布 發光效率 核殼結構 間隔設置 量子限制 外延結構 生長 申請 發光 | ||
1.一種深紫外LED制備方法，其特征在于，包括：
提供襯底，并在所述襯底上形成緩沖層；
在所述緩沖層上形成間隔設置的掩膜層；
在所述掩膜層之間的間隙生長n型AlGaN層，形成垂直分布的納米柱陣列；
在所述n型AlGaN層上依次生長量子阱層、p型AlGaN層和p型GaN層，形成從內到外依次為n型AlGaN層、量子阱層、p型AlGaN層和p型GaN層的核殼結構。
2.根據權利要求1所述的深紫外LED制備方法，其特征在于，生長形成所述納米柱陣列的溫度為1100℃-1300℃，Ⅴ族元素與Ⅲ族元素濃度的比值為200-300。
3.根據權利要求1所述的深紫外LED制備方法，其特征在于，生長形成所述核殼結構的的溫度為1000℃-1200℃，Ⅴ族元素與Ⅲ族元素濃度的比值為400-500。
4.根據權利要求1所述的深紫外LED制備方法，其特征在于，所述量子阱層包括多個AlGaN/GaN異質結構。
5.根據權利要求1所述的深紫外LED制備方法，其特征在于，所述掩膜層為二氧化硅或者氮化硅。
6.根據權利要求1所述的深紫外LED制備方法，其特征在于，所述納米柱的高度為2um-15um。
7.根據權利要求1所述的深紫外LED制備方法，其特征在于，形成所述緩沖層的過程為：將所述襯底放入MOCVD反應室中，在800℃-1000℃的溫度下，通入氨氣和含有鋁源的氣體。
8.根據權利要求1所述的深紫外LED制備方法，其特征在于，形成所述間隔設置的掩膜層的過程為：
在所述緩沖層上生長連續的掩膜層；
所述掩膜層上涂覆光刻膠，對光刻膠按預設的圖案進行曝光、顯影；
對光刻膠和掩膜層進行刻蝕，去除部分掩膜層，暴露出部分緩沖層。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于蘇州漢驊半導體有限公司，未經蘇州漢驊半導體有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910093849.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
