[發明專利]一種基于波導耦合表面等離子體共振傳感芯片在審
| 申請號： | 201910093815.1 | 申請日： | 2019-01-31 |
| 公開（公告）號： | CN109827932A | 公開（公告）日： | 2019-05-31 |
| 發明（設計）人： | 馬佑橋 | 申請（專利權）人： | 馬佑橋 |
| 主分類號： | G01N21/552 | 分類號： | G01N21/552 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 212300 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 波導耦合表面等離子體 傳感芯片 介質波導層 金屬薄膜層 共振 兩層 表面等離子體共振 等離子體 表面等離子體 傳感領域 傳統表面 光學傳感 檢測分析 歐姆損耗 品質因子 生物分子 芯片設計 薄膜層 靈敏度 折射率 基底 黏附 芯片 調控 激發 檢測 拓展 應用 | ||
1.一種基于波導耦合表面等離子體（Surface Plasmon Polaritons, SPPs）共振的嶄新傳感芯片，其特征在于，包括基底，黏附薄膜層，介質波導層和上下兩層金屬薄膜層，所述黏附薄膜層位于所述基底和所述下層金屬薄膜層之間，所述介質波導層位于所述上下兩層金屬薄膜層之間。
2.根據權利要求1所述的一種基于波導耦合SPPs共振傳感芯片，其特征在于，所述基底材料對工作波長透明，基底材料為玻璃，或有機聚合物材料等中的一種。
3.根據權利要求1所述的一種基于波導耦合SPPs共振傳感芯片，其特征在于，所述黏附薄膜層起增強基底和下金屬薄膜層之間黏附力的作用，所述黏附薄膜層厚度在1至5納米范圍內，所述黏附薄膜層的材料為鉻，鈦，鉻氧化物，鈦氧化物，或是氟化鎂等中的一種。
4.根據權利要求1所述的一種基于波導耦合SPPs共振傳感芯片，其特征在于，所述下層金屬層和上層金屬層的金屬材料可以相同，也可以不相同，材料為能激發SPPs模式的金屬，包括金，銀，鋁，銅，鈦，鉻等貴金屬中的任何一種，或是各自的合金材料。
5.根據權利要求1或4所述的一種基于波導耦合SPPs共振傳感芯片，其特征在于，所述下層金屬薄膜層厚度控制在20納米至60納米范圍內，同時，為保證高敏感度，所述上層金屬薄膜層厚度控制在10納米至30納米范圍內。
6.根據權利要求1所述的一種基于波導耦合SPPs共振傳感芯片，其特征在于，所述介質波導層與所述上下兩層金屬薄膜層之間有著良好的黏附特性，所述介質波導層的材料折射率位于1.5至3.5之間，所述介質波導層的厚度根據介質層材料折射率和工作波長而定，須滿足波導基模的激發條件，所述介質波導層厚度控制在100納米至300納米之間。
7.根據權利要求1所述的一種基于波導耦合SPPs共振傳感芯片，其特征在于，所述黏附薄膜層，介質波導層和上下兩層金屬薄膜層的鍍膜工藝,可以采取常用真空蒸鍍和離子濺射等鍍膜工藝。
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