[發(fā)明專利]OLED顯示裝置的制備方法及OLED顯示裝置

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• 申請日: 2019-01-30
• 公開（公告）號: CN109888130A
• 公開（公告）日: 2019-06-14
• 發(fā)明（設計）人: 龔文亮;崔昇圭
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/52;H01L27/32
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

一種OLED顯示裝置的制備方法及OLED顯示裝置，所述方法包括：使用多層陽極氧化鋁模板制備納米壓印磨具；提供一TFT陣列基板，在所述TFT陣列基板表面由下到上依次設置OLED發(fā)光層、薄膜封裝層以及彩膜基板，所述彩膜基板包括彩膜層以及第一黑色矩陣；使用所述納米壓印磨具對所述第一黑色矩陣進行壓印，形成第二黑色矩陣，所述第二黑色矩陣的表面為凹陷的蜂窩狀納米結構，壓印后冷卻，制成OLED顯示裝置。有益效果：本發(fā)明所提供的OLED顯示裝置的制備方法及OLED顯示裝置，將彩膜基板上的黑色矩陣表面設置為凹陷的蜂窩狀納米結構，降低了黑色矩陣表面的反射率，進一步提高了黑色矩陣對光的吸收效率，更進一步增強了OLED顯示裝置在戶外強光下的對比度。

技術領域

本發(fā)明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種OLED顯示裝置的制備方法及OLED顯示裝置。

背景技術

目前偏光片(POL)能夠有效地降低強光下顯示面板的反射率，卻損失了接近58％的出光。這對于OLED來說，極大地增加了其壽命負擔；另一方面，偏光片厚度較大、材質脆，不利于動態(tài)彎折產品的開發(fā)。為了開發(fā)基于OLED現(xiàn)實技術的動態(tài)彎折產品，必須導入新材料、新技術以及新工藝替代偏光片。現(xiàn)有技術使用彩膜替代偏光片能將功能層的厚度從100微米降到小于5微米，而且能夠將出光率從42％提高至60％。然而，基于彩膜技術的面板表面反射率很難做的很低(7.1％)，不利于室外顯示。

綜上所述，現(xiàn)有的OLED顯示裝置，由于基于彩膜技術的面板表面反射率過高，導致彩膜基板對光吸收效率過低，進一步降低了OLED顯示裝置在戶外強光下的對比度。

發(fā)明內容

本發(fā)明提供一種OLED顯示裝置的制備方法，能夠降低彩膜基板表面的反射率，以解決現(xiàn)有的OLED顯示裝置，由于基于彩膜技術的面板表面反射率過高，導致彩膜基板對光吸收效率過低，進一步降低了OLED顯示裝置在戶外強光下的對比度的技術問題。

為解決上述問題，本發(fā)明提供的技術方案如下：

本發(fā)明提供一種OLED顯示裝置的制備方法，所述方法包括：

S10，使用多層陽極氧化鋁模板制備納米壓印磨具；

S20，提供一TFT陣列基板，在所述TFT陣列基板表面由下到上依次設置OLED發(fā)光層、薄膜封裝層以及彩膜基板，所述彩膜基板包括彩膜層以及第一黑色矩陣；

S30，使用所述納米壓印磨具對所述第一黑色矩陣進行壓印，形成第二黑色矩陣，所述第二黑色矩陣的表面為凹陷的蜂窩狀納米結構，壓印后冷卻，制成OLED顯示裝置。

根據本發(fā)明一優(yōu)選實施例，所述S10中，所述納米壓印磨具為圓柱滾筒狀。

根據本發(fā)明一優(yōu)選實施例，所述納米壓印磨具包括滾筒本體，所述滾筒本體的表面設置有凸起的橢球形聚酰亞胺膜，所述滾筒本體的兩端分別設置有聚二甲基硅氧烷。

根據本發(fā)明一優(yōu)選實施例，所述S20中，所述彩膜層包括依次循環(huán)排列的多個不同顏色的子彩膜層。

根據本發(fā)明一優(yōu)選實施例，所述第一黑色矩陣設置于相鄰的所述子彩膜層之間的間隙區(qū)，且與相鄰的所述子彩膜層無重疊相連。

根據本發(fā)明一優(yōu)選實施例，所述S20中，所述OLED發(fā)光層包括紅色子發(fā)光層、藍色子發(fā)光層以及綠色子發(fā)光層。

根據本發(fā)明一優(yōu)選實施例，所述S20中，所述薄膜封裝層包括由下到上層疊設置的第一無機層、有機層以及第二無機層。

根據本發(fā)明一優(yōu)選實施例，所述第一無機層的材料為氮化硅、二氧化硅、三氧化二鋁、二氧化鈦以及二氧化鋯等以上一種或任意二種以上的組合，所述第二無機層的材料與所述第一無機層的材料相同。

根據本發(fā)明一優(yōu)選實施例，所述有機層的材料為亞克力、環(huán)氧樹脂或有機硅。