[發明專利]基于納米光刻光盤的偏振平衡測量讀取方法及裝置有效
| 申請號: | 201910093645.7 | 申請日: | 2019-01-30 |
| 公開(公告)號: | CN111508534B | 公開(公告)日: | 2022-07-29 |
| 發明(設計)人: | 王中陽;張力 | 申請(專利權)人: | 中國科學院上海高等研究院 |
| 主分類號: | G11B7/005 | 分類號: | G11B7/005;G11B7/0045;G11B7/007;G11B7/125;G11B7/1376;G11B7/24035;G11B7/24053;G11B7/24062 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 高彥 |
| 地址: | 201210 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 納米 光刻 光盤 偏振 平衡 測量 讀取 方法 裝置 | ||
1.一種偏振平衡測量讀取方法,其特征在于,所述方法包括:
通過固定偏振方向的線偏激光照射由雙折射材料構成的雙折射刻寫記錄層上刻蝕有一或多個記錄點的固定記錄位置;各所述記錄點蝕刻有多個具有深度信息的溝槽;其中,每個記錄點記錄一個數據;各溝槽對應該數據的不同位數;
獲得所述線偏激光經所述雙折射刻寫記錄層反射的不同偏振方向的線性疊加激光;
通過偏振分束鏡對所述線性疊加激光進行分光,以分別獲得激光的S分量、及P分量;
測量所述S分量、及P分量的強度以供讀取出相應的存儲信息。
2.根據權利要求1所述的偏振平衡測量讀取方法,其特征在于,通過所述記錄點上各具有深度信息的溝槽用以表征2進制計數方式的存儲信息;其中,m表示所述溝槽的數量,通過所述溝槽上是否有所述深度信息用以表征2進制計數方式的存儲信息的數值1或0。
3.根據權利要求1所述的偏振平衡測量讀取方法,其特征在于,通過各所述溝槽上的多個深度信息用以表征所述存儲信息的數據維度x,以實現x進制計數方式的存儲信息;通過所述溝槽上所述深度信息中不同的深度值用以表征x進制計數方式的所述存儲信息的數據維度x。
4.根據權利要求2或3所述的偏振平衡測量讀取方法,其特征在于,所述溝槽的數量m與偏振平衡測量方法的分辨能力相關聯,所述分辨能力越強,確定所述溝槽的數量越多。
5.根據權利要求1所述的偏振平衡測量讀取方法,其特征在于,所述固定偏振方向的線偏激光的波長選擇對吸收調制層吸收率低的波長,以避免與寫入激光波長相同。
6.根據權利要求1所述的偏振平衡測量讀取方法,其特征在于,所述雙折射材料包括以下任意一種:
1)介質膜堆構成的薄膜偏振材料,其由物理氣相沉積法鍍膜形成,所采用的材料包括MgF2、SiO2、ZrO2、TiO2、及HfO2中任意一種或多種組合;
2)有機聚合物材料,其包括偶氮聚合物、偶氮液晶材料、PMMA、PE、PI、及聚酯材料中任意一種或多種;
3)雙折射雕塑薄膜,其包括SiO2、TiO2、及ZnS中任意一種或多種組合;
4)雙折射晶體材料,其包括方解石、鈮酸鋰、鉭酸鋰、及者鈮酸鋇中任意一種或多種組合;
5)旋光性材料,以令光通過旋光性材料時偏振面發生變化,其包括石英、及旋光性高分子聚合物中任意一種或多種組合。
7.根據權利要求1所述的偏振平衡測量讀取方法,其特征在于,存儲于所述雙折射刻寫記錄層的所述存儲信息是通過單光束納米光刻寫入方法或雙光束納米光刻寫入方法進行寫入的。
8.根據權利要求7所述的偏振平衡測量讀取方法,其特征在于,所述單光束納米光刻寫入方法包括:
采用短波長刻寫激光束以及高數值孔徑物鏡的聚焦方式,壓縮衍射受限聚焦光斑尺寸,以實現納米尺度光刻信息寫入;
所述短波長刻寫激光束作用于所述雙折射刻寫記錄層,通過控制所述短波長刻寫激光束的照射時間和激光強度,對記錄層的刻蝕深度和寬度進行精準控制。
9.根據權利要求7所述的偏振平衡測量讀取方法,其特征在于,所述雙光束納米光刻寫入方法包括:
采用波長不同的實心刻寫光束與空心抑制光束,同時照射于光盤物理存儲介質中由吸收調制材料構成的吸收調制層,以通過吸收調制效應實現超分辨納米光刻寫入;
所述實心刻寫光束、及空心抑制光束的焦平面在空間上重合,所述實心刻寫光束的光強符合高斯強度分布以刻錄信息;所述空心抑制光束的光強符合環形強度分布以抑制所述實心刻寫光束的外圍光斑透過吸收調制層;
分別控制所述實心刻寫光束、及空心抑制光束的照射時間和光束強度,實現對信息記錄層的刻蝕深度和寬度的精準控制。
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