[發明專利]一種衍射效率漸變的光柵耦合器制備裝置和制備方法有效
| 申請號: | 201910092457.2 | 申請日: | 2019-01-30 |
| 公開(公告)號: | CN109597157B | 公開(公告)日: | 2021-07-02 |
| 發明(設計)人: | 蔡志堅;吳建宏 | 申請(專利權)人: | 蘇州大學 |
| 主分類號: | G02B5/18 | 分類號: | G02B5/18 |
| 代理公司: | 蘇州市中南偉業知識產權代理事務所(普通合伙) 32257 | 代理人: | 楊慧林 |
| 地址: | 215000 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 衍射 效率 漸變 光柵 耦合器 制備 裝置 方法 | ||
1.一種衍射效率漸變的光柵耦合器制備裝置,其特征在于,包括:
離子束發生器,其發出離子束以刻蝕光柵;
擋板,其位于所述離子束發生器的下側,所述擋板上開設有通孔;沿x方向,所述通孔在y方向的寬度漸變;
樣品臺,其位于所述擋板下側,所述樣品臺用于放置樣品,所述樣品為光柵基板,所述光柵基板上設置有光柵掩膜;
動力組件,其驅動所述樣品臺或所述擋板沿y方向勻速運動;
其中,x方向和y方向為水平面上相互垂直的方向;所述動力組件驅動所述樣品與所述通孔在y方向發生相對移動,所述離子束經所述通孔在樣品上刻蝕出槽深漸變的光柵;所述通孔呈y(x)=γ.f[η(x)]分布;其中,η(x)為光柵沿x方向的光柵耦合器效率函數;f為光柵耦合器效率與槽深的函數,即d=f(η),其中,d為槽深;γ為一個常系數,代表單位槽深對應需要的擋板開口寬度;η(x)滿足方程其中k為小于1的常數,k大于0。
2.如權利要求1所述的光柵耦合器制備裝置,其特征在于,所述擋板上的通孔由濕法腐蝕法制備。
3.如權利要求1所述的光柵耦合器制備裝置,其特征在于,所述擋板為不銹鋼材質。
4.如權利要求1所述的光柵耦合器制備裝置,其特征在于,所述擋板與所述樣品臺平行設置。
5.如權利要求1所述的光柵耦合器制備裝置,其特征在于,所述離子束垂直入射或傾斜入射到所述擋板上。
6.一種衍射效率漸變的光柵耦合器制備方法,基于權利要求1-5任一項所述的光柵耦合器制備裝置,其特征在于,包括以下步驟:
步驟一、將所述擋板固定,在所述樣品臺上樣品;
步驟二、所述動力組件驅動所述樣品臺沿y方向勻速移動,所述離子束經所述通孔對樣品進行刻蝕操作。
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