[發明專利]可精準控制二維材料發光強度和峰位的發光器件在審
| 申請號： | 201910092280.6 | 申請日： | 2019-01-30 |
| 公開（公告）號： | CN109698260A | 公開（公告）日： | 2019-04-30 |
| 發明（設計）人： | 湯乃云;楊正茂 | 申請（專利權）人： | 上海電力學院 |
| 主分類號： | H01L33/02 | 分類號： | H01L33/02;H01L33/12;H01L33/26;H01L33/34;H01L33/44 |
| 代理公司： | 上?？剖⒅R產權代理有限公司 31225 | 代理人： | 劉燕武 |
| 地址： | 200090 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 二維材料 硅薄膜 峰位 二氧化硅介質層 生長 發光器件 金屬電極 精準控制 襯底 器件制作 光源 制備 隔離 應用 | ||
【權利要求書】：
1.一種可精準控制二維材料發光強度和峰位的發光器件，其特征在于，包括襯底、生長在襯底上的二氧化硅介質層，以及生長在二氧化硅介質層且相互隔離的三塊硅薄膜，所述三塊硅薄膜中的其中兩塊上分別生長一個金屬電極，另一塊與其中一塊生長有金屬電極的硅薄膜之間設置有一層二維材料。
2.根據權利要求1所述的一種可精準控制二維材料發光強度和峰位的發光器件，其特征在于，所述襯底為硅襯底，其厚度為500μm。
3.根據權利要求1所述的一種可精準控制二維材料發光強度和峰位的發光器件，其特征在于，所述二氧化硅介質層的厚度為10-200nm。
4.根據權利要求1所述的一種可精準控制二維材料發光強度和峰位的發光器件，其特征在于，所述金屬電極的材料為金、銀、鉻、鋁或鈦，其厚度為10-200nm。
5.根據權利要求1所述的一種可精準控制二維材料發光強度和峰位的發光器件，其特征在于，所述二維材料為單層二碲化鉬，厚度不超過2nm。
6.根據權利要求1所述的一種可精準控制二維材料發光強度和峰位的發光器件，其特征在于，所述硅薄膜的厚度為10-100nm。
7.根據權利要求1所述的一種可精準控制二維材料發光強度和峰位的發光器件，其特征在于，生長有金屬電極的兩塊硅薄膜之間的間距為1-10μm。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海電力學院，未經上海電力學院許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910092280.6/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
