[發明專利]一種以鍛燒法制備介孔二氧化硅修飾碳點的方法在審
| 申請號： | 201910092240.1 | 申請日： | 2019-01-30 |
| 公開（公告）號： | CN109705627A | 公開（公告）日： | 2019-05-03 |
| 發明（設計）人： | 周興平;尹超舜 | 申請（專利權）人： | 東華大學 |
| 主分類號： | C09C1/28 | 分類號： | C09C1/28;C09C3/08;C09K11/65;C01B33/18 |
| 代理公司： | 上海泰能知識產權代理事務所 31233 | 代理人： | 黃志達;魏峯 |
| 地址： | 201620 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 介孔二氧化硅 鍛燒 修飾 法制備介孔 二氧化硅 檸檬酸 光穩定性 納米空間 碳化反應 熒光效果 分散性 熒光 紅移 | ||
【權利要求書】：
1.一種以鍛燒法制備介孔二氧化硅修飾碳點的方法，其特征在于，以介孔二氧化硅為載體，使用鍛燒法讓檸檬酸、脲在介孔二氧化硅限制的納米空間內發生碳化反應。
2.根據權利要求1所述方法，步驟包括：
將檸檬酸、脲、介孔二氧化硅以質量比為0.75～0.80:0.50～0.60:0.045～0.055研磨混合，加熱反應，冷卻，經透析、干燥，得到介孔二氧化硅修飾碳點。
3.根據權利要求1或者2所述方法，其特征在于，所述介孔二氧化硅的制備方法包括：將十六烷基三甲基溴化銨CTAB、氫氧化鈉和水以質量比為0.25:0.14:150混合，加熱攪拌，加入正硅酸四乙酯繼續加熱，離心，洗滌，冷凍干燥，煅燒，即得，其中正硅酸四乙酯與CTAB的2～3mL:0.2～0.3g。
4.根據權利要求3所述方法，其特征在于，所述加熱攪拌溫度為70～90℃；繼續加熱時間為1～3h；煅燒溫度為450～500℃，煅燒時間為4-6h。
5.根據權利要求2所述方法，其特征在于，所述加熱反應溫度為170～190℃，加熱反應時間為0.8h～1.5h。
6.根據權利要求2所述方法，其特征在于，所述透析是用截留分子量為500Da的透析袋。
7.根據權利要求2所述方法，其特征在于，所述干燥為冷凍干燥。
8.一種如權利要求1所述方法制備的介孔二氧化硅修飾碳點。
9.一種如權利要求1所述方法制備的介孔二氧化硅修飾碳點的應用。
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