[發(fā)明專利]顯示基板、顯示基板的制備方法、顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910091122.9 | 申請日: | 2019-01-30 |
| 公開(公告)號: | CN109830512A | 公開(公告)日: | 2019-05-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 程磊磊 | 申請(專利權(quán))人: | 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;張?zhí)焓?/td> |
| 地址: | 230012 *** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示基板 發(fā)光器件 基底 像素限定層 擋墻 像素 第二電極 第一電極 顯示裝置 發(fā)光層 容納 制備 輔助電極 疊層 覆蓋 背離 | ||
本發(fā)明提供一種顯示基板、顯示基板的制備方法、顯示裝置,屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的顯示基板,包括:基底,像素限定層、設(shè)置在所述基底上的多個發(fā)光器件;所述像素限定層包括像素限定擋墻和由所述像素限定擋墻限定出的多個第一容納部;所述發(fā)光器件的第一電極位于所述像素限定層和所述基底之間,且所述第一容納部裸露出所述第一電極;所述發(fā)光器件的發(fā)光層至少覆蓋所述第一容納部;所述發(fā)光器件的第二電極覆蓋所述發(fā)光層;所述顯示基板還包括:輔助電極,其設(shè)置于所述像素限定擋墻背離所述基底的一側(cè),且與至少部分所述發(fā)光器件的第二電極疊層設(shè)置。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種顯示基板、顯示基板的制備方法、顯示裝置。
背景技術(shù)
有機電致發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode;OLED)是一種具有自發(fā)光、廣視角、響應(yīng)快、色域廣、清晰度與對比度稿、可實現(xiàn)柔性顯示等特性的顯示器件。因此,OLED顯示面板在新時代的顯示面板中具有強有力的競爭力,被業(yè)界公認為是最有發(fā)展?jié)摿Φ娘@示面板。
其中,頂發(fā)射型OLED顯示面板以其開口率大、分辨率高等優(yōu)點受到了人們的廣泛重視。為了提高光線透過率,頂發(fā)射型OLED顯示器件的陰極不能做的太厚,而這樣會增大電路上的電壓降,此時可在頂發(fā)射型OLED顯示器件的陰極上制作輔助電極,降低陰極的阻抗,以減小回路上的電壓降,降低功耗。
現(xiàn)有技術(shù)中,輔助電極的設(shè)置方式主要有以下兩種:一、在封裝蓋板上制作輔助電極,且輔助電極制備于支撐柱上方;二、直接在顯示基板的制備過程中,在制備柵極或者源漏電極的同時制備形成輔助電極。其中,設(shè)置方式一中支撐柱易與透明導(dǎo)電薄膜剝離或者脫落,會影響信號的傳輸;設(shè)置方式二中激光打孔工工藝易在制備過程中產(chǎn)生不良顆粒,且制備時間較長,生產(chǎn)效率低。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一,提供一種輕薄且產(chǎn)品良率較高的顯示基板。
解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種顯示基板,包括:基底,像素限定層、設(shè)置在所述基底上的多個發(fā)光器件;所述像素限定層包括像素限定擋墻和由所述像素限定擋墻限定出的多個第一容納部;所述發(fā)光器件的第一電極位于所述像素限定層和所述基底之間,且所述第一容納部裸露出所述第一電極;所述發(fā)光器件的發(fā)光層至少覆蓋所述第一容納部;所述發(fā)光器件的第二電極覆蓋所述發(fā)光層;所述顯示基板還包括:
輔助電極,其設(shè)置于所述像素限定擋墻背離所述基底的一側(cè),且與至少部分所述發(fā)光器件的第二電極疊層設(shè)置。
優(yōu)選的,所述各所述發(fā)光器件的第一電極間隔設(shè)置;多個所述發(fā)光器件中的第二電極為一體結(jié)構(gòu)。
優(yōu)選的,所述輔助電極的材料包括遮光材料。
優(yōu)選的,所述像素限定擋墻背離所述基底的一側(cè)具有第二容納部,所述輔助電極設(shè)置于所述第二容納部中。
進一步優(yōu)選的,所述第二電極位于所述輔助電極背離所述基底的一側(cè)。
進一步優(yōu)選的,所述輔助電極的材料包括石墨烯基導(dǎo)電墨水、碳納米管基導(dǎo)電墨水中的至少一者。
優(yōu)選的,所述輔助電極位于所述第二電極背離所述基底的一側(cè)。
進一步優(yōu)選的,所述輔助電極的材料包括導(dǎo)電金屬或者導(dǎo)電合金。
解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種顯示基板的制備方法,包括:在基底上形成像素限定層和多個發(fā)光器件;所述像素限定層包括像素限定擋墻和由所述像素限定擋墻限定出的多個第一容納部;所述發(fā)光器件的第一電極位于所述像素限定層和所述基底之間,且所述第一容納部裸露出所述第一電極;所述發(fā)光器件的發(fā)光層至少覆蓋所述第一容納部;所述發(fā)光器件的第二電極覆蓋所述發(fā)光層;所述制備方法還包括:
在所述像素限定擋墻背離所述基底的一側(cè)形成輔助電極,所述輔助電極與至少部分所述發(fā)光器件的第二電極疊層設(shè)置。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





