[發明專利]一種扇出型倒置封裝結構及其制備方法在審
| 申請號： | 201910089056.1 | 申請日： | 2019-01-30 |
| 公開（公告）號： | CN109887890A | 公開（公告）日： | 2019-06-14 |
| 發明（設計）人： | 王新;蔣振雷 | 申請（專利權）人： | 杭州晶通科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/31 | 分類號： | H01L23/31;H01L23/522;H01L21/56 |
| 代理公司： | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 310016 浙江省杭*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 重新布線層 塑封層 封裝結構 倒置 扇出型 有機物薄膜 翹曲度 減小 涂覆 制備 芯片 有機物樹脂 封裝芯片 固定芯片 后續工藝 塑封芯片 芯片偏移 芯片位置 制作過程 上表面 偏移 外露 良率 塑封 凸起 薄膜 釋放 緩解 幫助 | ||
1.一種扇出型倒置封裝結構，其特征在于：包括重新布線層，在重新布線層的上表面設置芯片，再沿芯片自重新布線層凸起的形狀涂覆一層與凸起的形狀適配的有機物薄膜，有機物薄膜上為塑封層。
2.根據權利要求1所述的扇出型倒置封裝結構，其特征在于：在塑封層外露的一面設有均勻分布的溝槽。
3.根據權利要求1所述的扇出型倒置封裝結構，其特征在于：在重新布線層的下表面金屬觸點位置涂覆有錫球。
4.根據權利要求1所述的扇出型倒置封裝結構，其特征在于：重新布線層由若干介電層和金屬導電層構成。
5.根據權利要求1所述的扇出型倒置封裝結構，其特征在于：所述芯片的器件面朝向重新布線層。
6.根據權利要求1所述的扇出型倒置封裝結構，其特征在于：所述溝槽的寬度為0.5～5mm，溝槽的深度為50～500μm。
7.一種如權利要求1所述的扇出型倒置封裝結構的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：
1)在臨時載片表面粘附熱剝離膜，該熱剝離膜外露的表面為第一表面；
2)在步驟1)所得到的熱剝離膜表面進行倒裝芯片貼裝，芯片的器件面朝向第一表面；
3)在芯片上面繼續以旋涂方式涂覆一層有機樹脂薄膜并固化；
4)將貼附在臨時載片上的芯片和機樹脂薄膜進行整體塑封，形成塑封層，該塑封層的表面為第二表面；
5)在塑封層的第二表面上制作溝槽；
6)采用熱剝離的辦法將臨時載片與塑封層分離并去除熱剝離膜，從而使塑封層的與第一表面所接觸的面上裸露出來；
7)根據芯片的位置，用薄膜工藝在塑封層的裸露面制作重新布線層；
8)在重新布線層的下表面采用植球工藝完成錫球的焊接；
9)進行單元切割以得到單獨的封裝體。
8.根據權利要求7所述的扇出型倒置封裝結構的制備方法，其特征在于：所述有機樹脂薄膜為PI薄膜或PBO薄膜。
9.根據權利要求7所述的扇出型倒置封裝結構的制備方法，其特征在于：所述臨時載片為玻璃載片、石英載片、硅片載片和陶瓷載片中的任意一種。
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